发明名称 |
微晶硅薄膜探测器制备方法及其应用 |
摘要 |
一种微晶硅薄膜探测器的制备方法及其应用,包括以下步骤:在玻璃基板上沉积第一金属层,刻蚀以形成TFT栅极;沉积第一绝缘层;依次继续沉积本征微晶硅薄膜和n掺杂微晶硅薄膜,然后刻蚀以形成TFT有源区;继续沉积第二金属层,刻蚀以形成TFT源极和TFT漏极;继续沉积第二绝缘层,刻蚀以形成覆盖TFT的第二绝缘层;继续依次在TFT漏极上沉积n掺杂非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、p掺杂非晶硅薄膜以及透明导电层ITO薄膜;然后刻蚀以形成光电二极管;继续沉积第三绝缘层以覆盖第二绝缘层和上述光电二极管;刻蚀形成开孔;然后沉积第三金属层,刻蚀以形成电极。本发明将微晶硅薄膜应用于薄膜探测器,利用微晶硅薄膜较高的载流子迁移率,提高开口率和成像速度。 |
申请公布号 |
CN102751302A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210236837.7 |
申请日期 |
2012.07.09 |
申请人 |
上海奕瑞影像科技有限公司 |
发明人 |
邱承彬;王晓煜;刘琳 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种微晶硅薄膜探测器的制备方法,其特征在于,制备方法至少包括以下步骤:(1)提供一玻璃基板(10),在该玻璃基板上沉积第一金属层,刻蚀该第一金属层以形成TFT栅极(11);(2)沉积第一绝缘层(12);(3)依次继续沉积本征微晶硅薄膜(131)和n掺杂微晶硅薄膜(132),然后刻蚀所述两层微晶硅薄膜以形成TFT有源区;(4)继续沉积第二金属层,刻蚀该第二金属层以及该第二金属层下方的n掺杂微晶硅层(132)至本征微晶硅薄膜(131)上以形成TFT源极(142)和TFT漏极(141);(5)继续沉积第二绝缘层,然后刻蚀该第二绝缘层以形成覆盖TFT的第二绝缘层(15);(6)继续依次在TFT漏极(141)上沉积n掺杂非晶硅薄膜(164)、本征非晶硅薄膜(163)、p掺杂非晶硅薄膜(162)以及透明导电层ITO薄膜(161);然后刻蚀上述四层薄膜以形成光电二极管;(7)继续沉积第三绝缘层(17)以覆盖第二绝缘层(15)和上述光电二极管;(8)刻蚀所述光电二极管上方的第三绝缘层(17)形成位于透明导电层ITO薄膜(161)上方的开孔;然后沉积第三金属层,刻蚀该第三金属层以形成将透明导电层ITO薄膜(161)引出的电极(18)。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区张江高科技产业东区瑞庆路590号9幢2层202室 |