| 发明名称 | 一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域，具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。本发明还提供一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容的制备方法。本发明在硅基底上形成铁电薄膜电介质层，具有较高的介电常数及较低的厚度，从而获得较大的电容密度，可实现分立式埋入电容；此外，本发明在下部电极和硅基底之间形成欧姆接触，便于电极的引出和连接，提高了同电路板工艺的兼容性。 | ||
| 申请公布号 | CN102751094A | 申请公布日期 | 2012.10.24 |
| 申请号 | CN201110101584.8 | 申请日期 | 2011.04.22 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 赵宁;王惠娟 |
| 分类号 | H01G4/33(2006.01)I;H01G4/002(2006.01)I;H01G4/08(2006.01)I;H01G4/005(2006.01)I | 主分类号 | H01G4/33(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人 | 王建国 |
| 主权项 | 一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容，其特征在于，所述铁电薄膜电容包括：下部电极；设置于所述下部电极上的硅基底；设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层；设置于所述铁电薄膜电介质层上的上部电极；所述下部电极与所述硅基底之间形成欧姆接触。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||