发明名称 |
具有N型/P型硅基异质结太阳能电池 |
摘要 |
本发明涉及一种具有N型/P型硅基异质结太阳能电池,是在P型/N型重掺杂非晶硅膜与正面AZO透明导电电极之间沉积一层Al2O3薄膜,同时本征非晶硅层在N型/P型重掺杂非晶硅膜与背面AZO透明导电电极之间沉积一层Al2O3薄膜。Al2O3层的加入不仅可以降低界面态密度,减少电子与空穴复合,还可以降低暗电流,提高开路电压和填充因子;而且Al2O3层加入可以增加与AZO晶格匹配,提高AZO结晶度,即使衬底不加热也能保证AZO拥有高的结晶度,降低AZO电阻率。 |
申请公布号 |
CN102751369A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
申请号 |
CN201210205295.7 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
董科研 |
分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
路接洲 |
主权项 |
一种具有N型硅基异质结太阳能电池,其特征在于:包括N型单晶硅片(6)、N型单晶硅片的正面本征非晶硅薄膜(5)、在正面非晶硅薄膜上沉积的P型重掺杂非晶硅薄膜(4),在重掺杂非晶硅薄膜上面Al2O3层(3)、在Al2O3层上面的AZO透明导电薄膜(2)、AZO透明导电薄膜上面的丝网印刷的银栅线正电极(1)、N型单晶硅片背面本征非晶硅薄膜(7);在背面的本征非晶硅薄膜上沉积N型重掺杂非晶硅薄膜(8);在重掺杂非晶硅薄膜上沉积Al2O3(9);在Al2O3上沉积AZO透明导电薄膜薄膜(10);在背面的透明导电薄膜上印刷银金属栅线(11)。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |