发明名称 具有N型/P型硅基异质结太阳能电池
摘要 本发明涉及一种具有N型/P型硅基异质结太阳能电池,是在P型/N型重掺杂非晶硅膜与正面AZO透明导电电极之间沉积一层Al2O3薄膜,同时本征非晶硅层在N型/P型重掺杂非晶硅膜与背面AZO透明导电电极之间沉积一层Al2O3薄膜。Al2O3层的加入不仅可以降低界面态密度,减少电子与空穴复合,还可以降低暗电流,提高开路电压和填充因子;而且Al2O3层加入可以增加与AZO晶格匹配,提高AZO结晶度,即使衬底不加热也能保证AZO拥有高的结晶度,降低AZO电阻率。
申请公布号 CN102751369A 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201210205295.7 申请日期 2012.06.20
申请人 常州天合光能有限公司 发明人 董科研
分类号 H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/0376(2006.01)I 主分类号 H01L31/0747(2012.01)I
代理机构 常州市维益专利事务所 32211 代理人 路接洲
主权项 一种具有N型硅基异质结太阳能电池,其特征在于:包括N型单晶硅片(6)、N型单晶硅片的正面本征非晶硅薄膜(5)、在正面非晶硅薄膜上沉积的P型重掺杂非晶硅薄膜(4),在重掺杂非晶硅薄膜上面Al2O3层(3)、在Al2O3层上面的AZO透明导电薄膜(2)、AZO透明导电薄膜上面的丝网印刷的银栅线正电极(1)、N型单晶硅片背面本征非晶硅薄膜(7);在背面的本征非晶硅薄膜上沉积N型重掺杂非晶硅薄膜(8);在重掺杂非晶硅薄膜上沉积Al2O3(9);在Al2O3上沉积AZO透明导电薄膜薄膜(10);在背面的透明导电薄膜上印刷银金属栅线(11)。
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