一种高压交流LED晶片模块制作方法

摘要

本发明公开了一种高压交流LED晶片模块制作方法，首先在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；在的外延生长区生长出半导体层；去除隔离墙形成隔离区，通过隔离区形成多颗的LED晶粒；在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；半导体层表面及隔离区沉积保护层；蚀刻保护层形成安装区并制作P/N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块；将外延片切割、研磨、精抛光；最后采用裂片机将每块LED晶片模块进行裂片。本发明制造工艺具有易量产的特点，同时，采用本发明制造工艺制造出来的产品还具有良率高、成本低及使用寿命长的优点。

主权项

一种高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；(b)在步骤(a)的外延生长区生长出半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；(c)去除步骤(a)的隔离墙形成隔离区，衬底表面通过隔离区形成多颗的LED晶粒；(d)在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；(e)在半导体层表面及隔离区沉积保护层；(f)蚀刻步骤(e)的保护层形成P电极安装区及N电极安装区，在P电极安装区制作P电极，在N电极安装区制作N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块；(g)将外延片切割、研磨、精抛光；(h)采用裂片机将每块LED晶片模块进行裂片。