一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种SiGe基应变BiCMOS集成器件及制备方法，首先制备SOI衬底，连续生长N-Si/P-SiGe/N-Si层，制备深槽隔离，分别光刻集电区、基区浅槽隔离区域，进行离子注入，形成集电极、基极以及发射区接触区，最终形成SiGe HBT器件；接着光刻MOS有源区，在该区域连续生长Si缓冲层/应变SiGe层/本征Si层，分别形成NMOS和PMOS器件有源区，在NMOS和PMOS器件有源区淀积SiO2和多晶硅，制备长度为22～350nm的伪栅，采用自对准工艺形成NMOS和PMOS器件的轻掺杂源漏（LDD）和源漏，然后去除伪栅，制备形成栅介质氧化镧（La2O3）和金属钨（W）形成栅极，最后金属化，光刻引线，构成BiCMOS集成器件及电路。本发明采用了轻掺杂源漏结构，有效地抑制了热载流子对器件性能的影响，提高了器件的可靠性。

主权项

一种基于SiGe应变BiCMOS集成器件，其特征在于，所述基于SiGe应变BiCMOS集成器件中双极器件为SiGe HBT器件，MOS器件为应变SiGe平面沟道NMOS器件和应变SiGe平面沟道PMOS器件。