以相变存储材料为基础的高密度存储装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种以相变存储材料为基础的高密度存储装置及其制造方法。该存储装置包括一电极阵列，该电极阵列包括电极材料的薄膜板，多层带材，包括一存储材料层以及一顶部电极层，是经排列作为在该电极阵列中的各栏上的位线，该多层带材具有一主要本体以及一凸部，该凸部的宽度小于该主要本体的宽度并自对准于该薄膜板的接触表面上，在该凸部中存储材料接触在该电极阵列的该对应栏中的电极的薄膜板的该远程上的表面，该装置可以使用在上该接触表面上的自对准形态中的一镶嵌工艺而制作。

主权项

一种存储装置，包含：一包括列与栏的电极阵列，在该电极阵列中的至少部份的电极包含电极材料的薄膜板，该薄膜板具有各自的近端与远程，该近端与该远程具有接触表面其具有各自的接触面积，如此以至于该接触表面的该接触面积是经由在该接触表面处的该薄膜板的厚度以及在该接触表面处的该薄膜板的一宽度而决定；以及排列在该电极阵列的各栏上的多个多层带材，该多个多层带材之中的一多层带材包括一存储材料层以及一顶部电极材料层，并具有一主要本体以及一凸部，该凸部的宽度小于该主要本体的宽度，在该凸部中的存储材料接触在该电极阵列的该对应栏中的电极的薄膜板的该远程上的接触表面。