薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法，所述制造方法包括：在基板上依次形成缓冲层和有源层，通过构图工艺形成有源区；依次形成栅绝缘层和栅极层，形成栅电极；形成Ni沉积窗口；形成介质层，形成与Ni沉积窗口一一对应的源漏接触孔；形成源漏金属层，形成源漏电极，所述源漏电极通过源漏接触孔和Ni沉积窗口与有源区相连接。利用本发明所述的方法制造薄膜晶体管，仅采用5次光刻过程，简化了工艺流程，降低生产成本，提高了良率。采用金属侧向诱导技术来实现多晶硅的晶化过程，利用多晶硅作为栅电极和有源层，能够降低阈值电压，减小泄漏电流，简化工艺流程，提高器件性能。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括步骤：10、在基板上依次形成缓冲层和有源层，通过构图工艺形成有源区；30、依次形成栅绝缘层和栅极层，形成栅电极；50、形成Ni沉积窗口；70、形成介质层，形成与Ni沉积窗口一一对应的源漏接触孔；90、形成源漏金属层，形成源漏电极，所述源漏电极通过源漏接触孔和Ni沉积窗口与有源区相连接。