| 发明名称 |
高压器件及高压晶体管的过压保护方法 |
| 摘要 |
本发明公开了一种具有过压保护功能的高压器件及过压保护方法，该高压器件包括：高压晶体管，具有漏极、栅极和源极；以及过压保护电路，耦接在高压晶体管的漏极和源极之间，监测高压晶体管两端的电压以判断高压晶体管是否过压，并在检测到过压时提供第一电信号至高压晶体管的栅极以导通高压晶体管。 |
| 申请公布号 |
CN102751968A |
申请公布日期 |
2012.10.24 |
| 申请号 |
CN201210186409.8 |
申请日期 |
2012.06.07 |
| 申请人 |
成都芯源系统有限公司 |
发明人 |
唐纳德·迪斯尼 |
| 分类号 |
H03K17/08(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/08(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种高压器件，包括：高压晶体管，具有漏极、栅极和源极；以及过压保护电路，耦接在高压晶体管的漏极和源极之间，监测高压晶体管两端的电压以判断高压晶体管是否过压，并在检测到过压时提供第一电信号至高压晶体管的栅极以导通高压晶体管。 |
| 地址 |
611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 |
