半导体元件及其制备方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含一基板；一第一导电层，设置于该基板上；一中间层，设置于该第一导电层上；以及一第二导电层，设置于该中间层上。在本发明的一实施例中，当该半导体元件具有一缺陷区时，至少局部去除对应该缺陷区的第一导电层，使得该半导体元件可借由该第一导电层的保留区、该中间层及该第二导电层运作。本发明可避免缺陷形成短路而造成整个半导体元件失效的半导体元件及其制备方法或导致该半导体元件的效能降低。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包含：一基板；一第一导电层，设置于该基板上；一中间层，设置于该第一导电层上；以及一第二导电层，设置于该中间层上；其中当该半导体元件具有一缺陷区时，该第一导电层上对应该缺陷区的局部被去除，使得该半导体元件借由该第一导电层的保留区、该中间层及该第二导电层运作。