发明名称 散热器及其制造方法
摘要 后金属层(16,31)具有多个应力释放空间(17)。每个应力释放空间(17)形成为至少在后金属层(16,31)的前表面和后表面的其中一个处敞开。将后金属层(16,31)中的位于半导体装置(12)正下方的区域限定为正下方区域(A1),并且将正下方区域(A1)外侧的与正下方区域(A1)相对应并具有相同的尺寸的区域限定为对比区域(A21)。在正下方区域(A1)的范围中的应力释放空间(17)的体积小于形成在对比区域(A21)的范围中的应力释放空间(17)的体积。
申请公布号 CN102751249A 申请公布日期 2012.10.24
申请号 CN201210107274.1 申请日期 2012.04.12
申请人 株式会社丰田自动织机;昭和电工株式会社 发明人 岩田佳孝;森昌吾;平野智哉;南和彦
分类号 H01L23/367(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I 主分类号 H01L23/367(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 魏金霞;田军锋
主权项 一种散热器,所述散热器包括电路基片和散热装置,其中,所述电路基片包括:绝缘基片,所述绝缘基片形成为具有前表面和后表面;前金属层,所述前金属层接合于所述绝缘基片的所述前表面,所述前金属层形成为具有能够与半导体装置接合的前表面和接合于所述绝缘基片的后表面;以及后金属层,所述后金属层接合于所述绝缘基片的所述后表面,所述后金属层形成为具有接合于所述绝缘基片的前表面和接合于所述散热装置的后表面,所述后金属层具有多个应力释放空间,每个应力释放空间形成为至少在所述后金属层的所述前表面和所述后表面的其中一个处敞开,并且当将所述后金属层中的位于所述半导体装置正下方的区域限定为正下方区域、并且将所述正下方区域外侧的与该正下方区域相对应并具有与该正下方区域相同的尺寸的区域限定为对比区域时,在所述正下方区域的范围中的所述应力释放空间的体积小于形成在所述对比区域的范围中的所述应力释放空间的体积。
地址 日本爱知县刈谷市