一种含唑（Ａｚｏｌｅ）类错化合物介电绝缘层之有机薄膜电晶体

摘要

在酸性水溶液中，唑(Azole)类化合物易在金属表面与金属离子起配位反应，自我组装成长一层错化合物薄膜。本创作系在将此金属表面上，自我组装成长之错化合物薄膜，作为有机薄膜电晶体之闸极介电绝缘层。此方法可将有机薄膜电晶体制作在软性或硬性基板上，具有制作简易、制程温度低、低制作成本、制程环保及可大面积化等优点，极具产业价值。

主权项

一种有机薄膜电晶体，包含：(1)一源极与汲极层，包含一源极、一汲极与一通道，在该源极与该汲极间定义出一通道，且该源极与该汲极系设置于该通道之相对两侧；(2)一闸极层，设置于该源极与汲极层之该通道之垂直方向；(3)一闸极介电绝缘层，系隔绝该源极与汲极层及该闸极层，该闸极介电绝缘层为唑(Azole)类化合物与金属离子配位所形成之错化合物介电绝缘材料；(4)一有机半导体层，系和该源极与汲极层以及该闸极介电绝缘层连接；(5)一基板，提供该闸极层、该闸极介电绝缘层、该有机半导层及该源极与汲极层设置。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，其中该闸极层设置于该基板上，该闸极介电绝缘层设置于该基板上并覆盖该闸极层，该有机半导体层设置于该基板上并覆盖该闸极介电绝缘层，该源极与汲极层设置于该有机半导体层上。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，其中该闸极层设置于该基板上，该闸极介电绝缘层设置于该基板上并覆盖该闸极层，该源极与汲极层设置于该基板上并覆盖该闸极介电绝缘层，该有机半导体层设置于该源极与汲极层上。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，该闸极介电绝缘材料中之唑(Azole)类化合物系选自咪唑(Imidazoles)类化合物、苯并咪唑(Benzimidazoles)类化合物及苯并三唑Benzotriazoles类化合物之群组组合。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，该闸极介电层可包括一修饰层，设置于该闸极介电绝缘层与该有机半导体层之间。该修饰层系选自有机高分子、有机分子、金属氧化物及错化合物所构成。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，该闸极介电绝缘材料中用于配位之金属离子系选自铜、铬、锰、铁、钴、镍、锌、钯、银、铂、金及铝金属离子之群组组合。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，该源极与汲极层系由导电高分子或金属所构成。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，该有机半导体层系由有机分子半导体或有机高分子半导体所构成。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，该闸极层选自铜、铬、锰、铁、钴、镍、锌、钯、银、铂、金及铝金属之群组组合。如申请专利范围第1项所述之有机薄膜电晶体，该基板层系选自玻璃或高分子基板。一种有机薄膜电子元件，包含：一介电绝缘层，该介电绝缘层为唑(Azole)类化合物与金属离子配位所形成之错化合物介电绝缘材料。如申请专利范围第11项所述之有机薄膜电子元件，该介电绝缘材料中之唑(Azole)类化合物系选自咪唑(Imidazoles)类化合物、苯并咪唑(Benzimidazoles)类化合物及苯并三唑Benzotriazoles类化合物之群组组合。