具有转换元件之辐射发射装置

摘要

本发明系关于一种装置，其包含一LED晶片，适用于发射电磁一次辐射；包含一第一转换层，其系被施加于该LED晶片之至少一主面积上，及其包含至少一转换元件，其适用于转换部分一次辐射成为二次辐射；及包含一第二转换层，其系设置在该第一转换层之下游，及其具有至少一转换元件，其转换至少部分由LED晶片发射之一次辐射成为二次辐射，其中至少第一转换层之转换元件之二次辐射的部分、第二转换层之转换元件之二次辐射的部分，以及未转换之一次辐射的部分叠合以形成一混合辐射，其中在发射角上方的色彩之非均匀性可被降低。

主权项

一种辐射发射装置，包含：一LED晶片，其发射一具有波长λ0之一次辐射，一第一转换层，系施加至该LED晶片之至少一主面积上，及其包含至少一转换元件，其转换至少部分由LED晶片发射之一次辐射成为一二次辐射，该一次辐射的色彩与该第一转换层之该二次辐射的色彩彼此互补，以形成白光；一第二转换层，系设置在该第一转换层之下游，及其包含至少一转换元件，其转换至少部分由该LED晶片发射之一次辐射成为一二次辐射，其中该第二转换层的该转换元件包括至少一红磷光体，其中至少该第一转换层之转换元件之该二次辐射的部分、第二转换层之转换元件之该二次辐射的部分，以及该未转换之一次辐射的部分叠合以形成一混合辐射，该混合辐射的色区位在暖白色之色区范围。如申请专利范围第1项之辐射发射装置，其中该第一转换层系较该第二转换层薄。如申请专利范围第1或2项之辐射发射装置，其中该第二转换层之转换元件的浓度系低于第一转换层之转换元件的浓度。如申请专利范围第1或2项中之任一项之辐射发射装置，其中该LED晶片系配置在一基础外壳之切除部分中，及该切除部分系至少部分由该第二转换层填充。如申请专利范围第1或2项中之任一项之辐射发射装置，其中该装置具有一反射器，其中该LED晶片与设置在下游的第一及第二转换层系至少部分配置在该反射器内。如申请专利范围第1或2项中之任一项之辐射发射装置，其中该一次辐射之波长λ0系位在紫外光或蓝光光谱范围。如申请专利范围第1或2中之任一项之辐射发射装置，其中该装置包含氮化物化合物半导体或磷化物化合物半导体。如申请专利范围第1或2项中之任一项之辐射发射装置，其中该光束成型元件系设置在该第二转换层之下游。