Ｎ 通道ＴＦＴ，ＯＬＥＤ显示装置，及应用的电子元件

摘要

本发明揭示一种N通道TFT，OLED显示装置，及应用的电子元件。所述N通道TFT包含基底；在所述基底上的主动层，其中所述主动层包含N型源极区和N型汲极区；在主动层上的闸极介电层；和在所述闸极介电层上的闸极区。浓掺杂的源极区的至少一部分位于所述闸极区的下面，且淡掺杂的汲极区的至少一部分位于所述闸极区的下面。

主权项

一种N通道TFT，包含：一基底；一主动层，位在该基底上，其中该主动层包含一N型源极区和一N型汲极区；一闸极介电层，位在该主动层上；以及一闸极区，位在该闸极介电层上，其中该N型源极区包含一浓掺杂的源极区，该浓掺杂的源极区与该闸极区重叠至少1 μm，其中该N型汲极区包含一第一掺杂汲极区、一第二掺杂汲极区和一第三掺杂汲极区，该第三掺杂汲极区形成于该第一掺杂汲极区与该第二掺杂汲极区之间，该第一掺杂汲极区的掺杂浓度低于该第二掺杂汲极区的掺杂浓度，且该第三掺杂汲极区的掺杂浓度在该第一掺杂汲极区的掺杂浓度与该第二掺杂汲极区的掺杂浓度之间，其中该第一掺杂汲极区为淡掺杂的汲极区，该淡掺杂的汲极区与该闸极区重叠至少1 μm。如申请专利范围第1项所述之N通道TFT，其中该N型源极区包含一第一掺杂源极区和一第二掺杂源极区，该第一掺杂源极区的掺杂浓度低于该第二掺杂源极区的掺杂浓度，且该N型源极区延伸使得部分的该第二掺杂源极区位在该闸极区的下面。如申请专利范围第2项所述之N通道TFT，其中该N型源极区更包含一第三掺杂源极区，其中该第三掺杂源极区形成于该第一掺杂源极区与该第二掺杂源极区之间，且该第三掺杂源极区的掺杂浓度在该第一掺杂源极区的掺杂浓度与该第二掺杂源极区的掺杂浓度之间。如申请专利范围第1项所述之N通道TFT，其中该浓掺杂的源极区与该闸极区重叠1 μm到3 μm。如申请专利范围第1项所述之N通道TFT，其中该淡掺杂的汲极区与该闸极区重叠1 μm到3 μm。一种显示装置，包含：一资料驱动器，用于驱动多个资料线；一扫描驱动器，用于驱动多个扫描线；和一主动区，包含多个画素，其中该些画素中的至少一个包含：一控制电路，根据该些资料线的其中之一和该些扫描线的其中之一来产生资料电流，该控制电路包含至少一个N通道TFT，其包含：一基底；一主动层，位在该基底上，其中该主动层包含一N型源极区和一N型汲极区；一闸极介电层，位在该主动层上；以及一闸极区，位在该闸极介电层上，其中该N型源极区包含一浓掺杂的源极区，该浓掺杂的源极区与该闸极区重叠至少1 μm，其中该N型汲极区包含一第一掺杂汲极区、一第二掺杂汲极区和一第三掺杂汲极区，该第三掺杂汲极区形成于该第一掺杂汲极区与该第二掺杂汲极区之间，该第一掺杂汲极区的掺杂浓度低于该第二掺杂汲极区的掺杂浓度，且该第三掺杂汲极区的掺杂浓度在该第一掺杂汲极区的掺杂浓度与该第二掺杂汲极区的掺杂浓度之间，其中该第一掺杂汲极区为一淡掺杂的汲极区，其中该淡掺杂的汲极区与该闸极区重叠至少1 μm。如申请专利范围第6项所述之显示装置，其中该N型源极区包含一第一掺杂源极区和一第二掺杂源极区，该第一掺杂源极区的掺杂浓度低于该第二掺杂源极区的掺杂浓度，且该N型源极区延伸使得部分的该第二掺杂源极区位在该闸极区的下面。如申请专利范围第7项所述之显示装置，其中该N型源极区更包含一第三掺杂源极区，其中该第三掺杂源极区形成于该第一掺杂源极区与该第二掺杂源极区之间，且该第三掺杂源极区的掺杂浓度在该第一掺杂源极区的掺杂浓度与该第二掺杂源极区的掺杂浓度之间。如申请专利范围第6项所述之显示装置，其中该浓掺杂的源极区与该闸极区重叠1 mm到3 mm。如申请专利范围第6项所述之显示装置，其中该淡掺杂的汲极区与该闸极区重叠1 mm到3 mm。如申请专利范围第6项所述之显示装置，其中该控制电路包含一驱动TFT，且该驱动TFT为该N通道TFT。如申请专利范围第6项所述之显示装置，其中该控制电路包含一开关TFT，且该开关TFT为该N通道TFT。如申请专利范围第6项所述之显示装置，其中该显示装置为OLED显示装置。一种电子元件，包含：一图像产生器，产生用于显示图像的图像信号；以及一显示装置，包含：一资料驱动器，用于根据所述图像信号驱动多个资料线；一扫描驱动器，用于驱动多个扫描线；以及一主动区，包含多个画素，其中该些画素中的至少一个包含：一控制电路，根据该些资料线的其中之一和该些扫描线的其中之一来产生资料电流，该控制电路包含至少一个N通道TFT，其包含：一基底；一主动层，位在该基底上，其中该主动层包含一N型源极区和一N型汲极区；一闸极介电层，位在该主动层上；以及一闸极区，位在该闸极介电层上，其中该N型源极区包含浓掺杂的源极区，其中该浓掺杂的源极区与该闸极区重叠至少1 mm，其中该N型汲极区包含一第一掺杂汲极区、一第二掺杂汲极区和一第三掺杂汲极区，该第三掺杂汲极区形成于该第一掺杂汲极区与该第二掺杂汲极区之间，该第一掺杂汲极区的掺杂浓度低于该第二掺杂汲极区的掺杂浓度，且该第三掺杂汲极区的掺杂浓度在该第一掺杂汲极区的掺杂浓度与该第二掺杂汲极区的掺杂浓度之间，其中该第一掺杂汲极区为一淡掺杂的汲极区，其中该淡掺杂的汲极区与该闸极区重叠至少1 μm。如申请专利范围第14项所述之电子元件，其中该N型源极区包含一第一掺杂源极区和一第二掺杂源极区，该第一掺杂源极区的掺杂浓度低于该第二掺杂源极区的掺杂浓度，且该N型源极区延伸使得部分的该第二掺杂源极区位在该闸极区的下面。如申请专利范围第15项所述之电子元件，其中该N型源极区更包含一第三掺杂源极区，其中该第三掺杂源极区形成于该第一掺杂源极区与该第二掺杂源极区之间，且该第三掺杂源极区的掺杂浓度在该第一掺杂源极区的掺杂浓度与该第二掺杂源极区的掺杂浓度之间。如申请专利范围第14项所述之电子元件，其中该浓掺杂的源极区与该闸极区重叠1 mm到3 mm。如申请专利范围第14项所述之电子元件，其中该淡掺杂的汲极区与该闸极区重叠1 mm到3 mm。如申请专利范围第14项所述之电子元件，其中该电子元件为行动电话、数位相机、PDA(个人数位助理)、笔记型电脑、桌上型电脑、电视机、车载显示器或可携式DVD播放器。