用以放电一半导体装置之方法

摘要

在一具体实施例中，一种用以放电一半导体装置之方法包括提供一半导体基板(12)，于该半导体基板之上形成一电洞阻挡介电层(18)，于该电洞阻挡介电层之上形成奈米簇(20)，于该等奈米簇之上形成一电荷设陷层(22)，并对该等奈米簇施加一电场以放电该半导体装置。该电场的施加可在施加紫外(UV)光时发生。在一具体实施例中，该电洞阻挡介电层包含形成厚度大于约50埃的电洞阻挡介电层。

主权项

一种用于放电一半导体装置的方法，包括：提供一半导体基板；于该半导体基板之上形成一电洞阻挡介电层，其中形成该电洞阻挡介电层包括形成具有比50埃大的一厚度之该电洞阻挡介电层；于该电洞阻挡介电层之上形成复数奈米簇；于该等奈米簇之上形成一电荷设陷层；及施加一电场以放电该半导体装置，其中施加该电场进一步包括：施加该电场至该等奈米簇以建立一电子-电洞对，其中该电子-电洞对包括一第一电子及一第一电洞将该第一电子从该等奈米簇中之一者穿隧过该电洞阻挡介电层进入至该半导体基板；以及驱动该第一电洞从该等奈米簇中之一者进入至该电荷设陷层，其中该电荷设陷层包括一第二电子，以及该第一电洞与该第二电子结合。如请求项1之方法，其中形成该等奈米簇包含形成覆盖该电洞阻挡介电层至少约百分之15之面积的奈米簇。如请求项1之方法，其中形成该等奈米簇包含形成包括一具有一能带隙少于矽之材料之奈米簇。