覆晶封装结构及制造方法

摘要

本发明系有关于一种覆晶封装结构及其制造方法。本发明之覆晶封装结构之制造方法，包括以下步骤：(a)提供一包括有复数个电极垫以及复数个第一焊料体之半导体晶片，以及提供一包括有复数个电性连接垫以及复数个第二焊料体之基板；(b)形成一树脂黏着层于该半导体晶片上，且该树脂黏着层系显露出该等第一焊料体；(c)将形成有树脂黏着层之半导体晶片与该封装基板接合以形成一接合单元；以及(d)将该接合单元回焊，使该半导体晶片之该等第一焊料体与该封装基板之该等第二焊料体融熔黏结，以形成一融合焊料体，并使该树脂黏着层与该封装基板黏结。

主权项

一种覆晶封装结构之制造方法，包括以下步骤：(a)提供一包括有复数个电极垫以及复数个第一焊料体之半导体晶片，以及提供一包括有复数个电性连接垫以及复数个第二焊料体凸块之封装基板；其中，该等电极垫系配置于该半导体晶片之一主动面上，且该等第一焊料体系设置于该等电极垫上；该等电性连接垫系配置于该封装基板之一上表面，该等第二焊料体凸块系设置于该等电性连接垫上；(b)形成一树脂黏着层于该半导体晶片之该主动面上，且该树脂黏着层系显露出该第一焊料体；(c)将形成有树脂黏着层之半导体晶片与该封装基板接合以形成一接合单元，其中，该半导体晶片之该等第一焊料体系分别对应于该封装基板之该等第二焊料体凸块；以及(d)将该接合单元回焊，使该半导体晶片之该等第一焊料体与该封装基板之该等第二焊料体凸块融熔黏结，以形成一融合焊料体，并使该树脂黏着层与该封装基板黏结。如申请专利范围第1项所述之方法，其中步骤(a)之该半导体晶片复包括有一保护层(Passivation layer)，且该保护层具有复数个第一开口以露出该等电极垫。如申请专利范围第1项所述之方法，其中步骤(a)之该封装基板复包括有一防焊层形成于该上表面，且该防焊层具有复数个第二开口以露出该等电性连接垫。如申请专利范围第1项所述之方法，其中步骤(a)之该封装基板之该等第二焊料体系为膏状焊料体。如申请专利范围第1项所述之方法，于步骤(a)之后，复包括有步骤(a1)：放置复数个金属块于该封装基板之该等第二焊料体上。如申请专利范围第5项所述之方法，其中该金属块系为球形金属块。如申请专利范围第1项所述之方法，于步骤(a)之后，复包括有步骤(a2)：形成复数个预焊体于该封装基板之该等第二焊料体上。如申请专利范围第7项所述之方法，其中该等预焊体系为包含助焊剂之预焊体。如申请专利范围第1项所述之方法，其中步骤(a)之该等第一焊料体之高度系介于10微米至50微米。如申请专利范围第1项所述之方法，其中步骤(b)之该树脂黏着层之厚度系小于该等第一焊料体之高度以露出该等第一焊料体。如申请专利范围第1项所述之方法，于步骤(b)之后，更包括有步骤(b1)：将该半导体晶片上之该树脂黏着层乾燥。如申请专利范围第1项所述之方法，其中，该等第一焊料体系为铅、锡、锌、铋、金、银、铜所组群组之其中一者合金。如申请专利范围第1项所述之方法，其中，该等第二焊料体凸块系为铅、锡、锌、铋、金、银、铜所组群组之其中一者合金。