整合式无电电镀系统

摘要

本发明实施例提供利用一或多个无电电镀、电化学电镀、CVD及/或ALD制程来将材料沉积至基材表面的方法。本发明实施例提供在单一基材处理平台中利用无电制程于基材上沉积晶种层、接着利用ECP制程填充基材上之内连线特征结构的方法。其他实施例提供于基材上沉积晶种层、填充基材上之内连线特征结构、或依序沉积晶种层与填充基材上之内连线特征结构的方法。一实施例提供于基材内连线上形成覆盖层的方法。实施例更提供使用一或多个无电电镀、电化学电镀、CVD及/或ALD制程室来将材料沈积至基材表面的群集工具。根据一实施例，可形成含钌之催化层。

主权项

一种在一基材处理平台中处理一具有一基材结构形成其上之基材的方法，该基材处理平台包含一主要平台，该主要平台具有围住一主要平台处理区的一或多个壁，该方法至少包含：在一环控封闭区(an environmentally controlled enclosure)中，利用一无电沉积(electroless deposition)制程于该基材之一表面上形成一导电层，其中该环控封闭区配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；在一旋转洗涤乾燥(SRD)室中，洗涤该基材；以及在该SRD室中，旋乾该基材。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含在一SRD室中洗涤该基材的步骤之前，利用一整合式斜面清洗(IBC)制程来移除该基材之周围上多余的沉积物。如申请专利范围第2项所述之方法，其中上述之SRD制程与该IBC制程在相同之一制程室内于该基材上执行。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含：在一电浆加强乾蚀刻室中，移除该基材之该表面上的一原生(native)氧化层，该电浆加强乾蚀刻室包含：一温控之基材支撑物；一温控之室体；一上盖组件，含有一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃，而该第二电极系适以加热该基材；以及一处理区域，位于该第二电极与该基材支撑物之间，其中多个制程气体从该上盖组件流出；以及加热该基材，以移除该基材之该表面上的挥发性污染物。如申请专利范围第4项所述之方法，更包含在一环控封闭区中，利用一无电沉积制程来填入一金属层至该基材之一表面上的沟渠(trench)、通孔(via)、或其他内连线特征结构内。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含：施加一流体至该基材结构，其中该流体是选自由一超临界流体、一稠密(dense)流体、和其组合物所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之方法，其中上述形成一导电层的制程包含填入一金属层至沟渠、通孔、或其他内连线特征结构内。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含在一环控封闭区中，利用一镀(plating)制程来填入一金属层至该基材之一表面上的沟渠、通孔、或其他内连线特征结构内。如申请专利范围第8项所述之方法，其中上述之镀制程包含一电镀(electroplating)制程。如申请专利范围第9项所述之方法，更包含在一SRD室中洗涤该基材的步骤之前，利用一IBC制程来移除该基材斜面上多余的沉积物。如申请专利范围第8项所述之方法，其中上述之镀制程包含一无电电镀制程(electroless plating process)。如申请专利范围第11项所述之方法，更包含在洗涤之前，利用一刷箱室(brush box chamber)来清洗该基材之该表面。如申请专利范围第11项所述之方法，更包含在一SRD室中洗涤该基材的步骤之前，利用一IBC制程来移除该基材斜面上多余的沉积物。如申请专利范围第13项所述之方法，其中上述之SRD制程与该IBC制程在相同之一制程室内于该基材上执行。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含于该基材上形成一还原层及/或一含金属之催化层。如申请专利范围第15项所述之方法，其中上述含金属之催化层是采用一气相沉积制程来形成。如申请专利范围第16项所述之方法，其中上述之气相沉积制程包含使用一催化前驱物，该催化前驱物是选自由四氧化钌、二环戊钌(ruthenocene)、其衍生物、和其组合物所构成之群组。如申请专利范围第15项所述之方法，其中上述之还原层是采用一电浆浸渍制程来形成。如申请专利范围第18项所述之方法，其中上述之电浆浸渍制程包含使该基材暴露于一挥发性还原前驱物，该还原前驱物是选自由膦、二硼烷、矽烷、二矽烷、氢、氨、联氨、其衍生物、和其组合物所构成之群组。如申请专利范围第1项所述之方法，更包含：在一制程室中，于该基材上形成一阻障层，该制程室是选自由化学气相沉积室、原子层沉积室、和气相沉积室所构成之群组；以及在用以于该基材上形成该阻障层的该制程室中，于该基材上形成一还原层。一种在一基材处理平台中处理一具有一基材结构形成其上之基材的方法，该基材处理平台包含一主要平台，该主要平台具有围住一主要平台处理区的一或多个壁，该方法至少包含：在一环控封闭区中利用一无电沉积制程于该基材之一表面上形成一金属层，其中该环控封闭区配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；；在一刷箱室中，清洗该基材之该表面；以及在一蒸汽乾燥室中，洗涤与乾燥该基材。如申请专利范围第21项所述之方法，其中上述之形成一金属层的步骤包含形成一覆盖层。如申请专利范围第21项所述之方法，更包含在清洗该基材之该表面的步骤之前，利用一无电沉积制程来填充该基材之该表面上的沟渠、通孔、或其他内连线特征结构。如申请专利范围第21项所述之方法，更包含：在一电浆加强乾蚀刻室中，移除该基材之该表面上的一原生氧化层，该电浆加强乾蚀刻室包含：一温控之基材支撑物；一温控之室体；一上盖组件，含有一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃，而该第二电极系适以加热该基材；以及一处理区域，位于该第二电极与该基材支撑物之间，其中多个制程气体从该上盖组件流出；以及加热该基材，以移除该基材之该表面上的挥发性污染物。如申请专利范围第21项所述之方法，更包含：提供一流体给该基材结构，其中该流体是选自由一超临界流体、一稠密流体、和其组合物所构成之群组。如申请专利范围第21项所述之方法，更包含于该基材上形成一还原层及/或一含金属之催化层。如申请专利范围第26项所述之方法，其中上述之含金属之催化层是采用一气相沉积制程所形成的。如申请专利范围第26项所述之方法，其中上述之还原层是采用一电浆浸渍制程所形成的。如申请专利范围第21项所述之方法，更包含：在一制程室中，形成一阻障层于该基材上，该制程室是选自由化学气相沉积室、原子层沉积室、和气相沉积室所构成之群组；以及在用以于该基材上形成该阻障层的该制程室中，于该基材上形成一还原层。一种在一基材处理平台中处理一具一基材结构形成其上之基材的方法，该基材处理平台包含一主要平台，该主要平台具有围住一主要平台处理区的一或多个壁，该方法至少包含：在一制程室中，于一环控封闭区中利用一无电沉积制程而于该基材之一表面上形成一金属层，其中该环控封闭区配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；以及在该制程室中，利用一IBC制程来移除该基材斜面上多余的沉积物。一种在一基材处理平台中处理一具有一基材结构形成其上之基材的方法，该基材处理平台包含一主要平台，该主要平台具有围住一主要平台处理区的一或多个壁，该方法至少包含：在一环控封闭区中，利用一无电电镀制程来将一导电层填入该基材上的一具高深宽比之次微米特征结构内，其中该环控封闭区配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；以及利用一电镀制程来将一导电层填入该基材上的所有其余特征结构内。如申请专利范围第31项所述之方法，更包含在该无电电镀制程之前，在该基材结构上形成一导电晶种层。如申请专利范围第32项所述之方法，其中上述之晶种层是采用一无电电镀制程所形成的。如申请专利范围第31项所述之方法，更包含在利用该无电电镀制程之前，在该基材结构上形成一含金属之催化层。如申请专利范围第34项所述之方法，其中上述之形成一含金属之催化层的步骤更包含利用一气相沉积制程与使用一催化前驱物来形成一含金属之催化层，该催化前驱物是选自由四氧化钌、二环戊钌、其衍生物、和其组合物所构成之群组。一种在一基材处理平台中处理一具有一基材结构形成其上之基材的方法，该基材处理平台包含一主要平台，该主要平台具有围住一主要平台处理区的一或多个壁，该方法至少包含：在该基材结构上形成一含金属之催化层；在该基材结构上形成一导电晶种层；在一环控封闭区中利用一无电电镀制程来将一导电层填入该基材上的一具高深宽比之次微米特征结构内，其中该环控封闭区配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；以及利用一电化学电镀(ECP)制程来将一导电层填入该基材上的所有其余特征结构内。如申请专利范围第36项所述之方法，其中上述之形成一导电晶种层的步骤包含在一环控封闭区中，利用一无电沉积制程而在该基材结构上形成一导电层。如申请专利范围第36项所述之方法，更包含：在一电浆加强乾蚀刻室中，移除该基材之该表面上的一原生氧化层；以及在该电浆加强乾蚀刻室中加热该基材，以移除该基材之该表面上的挥发性污染物。如申请专利范围第36项所述之方法，更包含：施加一流体给该基材结构，其中该流体是选自由一超临界流体、一稠密流体、和其组合物所构成之群组。一种在一基材处理平台中处理一具有一基材结构形成其上之基材的方法，其至少包含：形成一还原层覆于一阻障层上，该阻障层位在该基材结构上；在该还原层上形成一催化层，包含：形成一含四氧化钌之气体；收集该气体至一来源容器；清除该来源容器中多余的氧气；加热该来源容器；以及输送该含四氧化钌之气体至一制程室中的该基材；以及于该催化层上形成一导电层。如申请专利范围第40项所述之方法，其中上述之形成一导电层的步骤包含利用一无电电镀制程来形成一导电层。如申请专利范围第40项所述之方法，其中上述之形成一导电层的步骤包含利用一电镀制程来形成一导电层。如申请专利范围第40项所述之方法，更包含：在一电浆加强乾蚀刻室中，移除该基材之一表面上的一原生氧化层；以及在该电浆加强乾蚀刻室中加热该基材，以移除该基材之该表面上的挥发性污染物。如申请专利范围第40项所述之方法，更包含：施加一流体给该基材结构，其中该流体是选自由一超临界流体、一稠密流体、和其组合物所构成之群组。如申请专利范围第42项所述之方法，更包含利用一电浆浸渍制程而在该基材结构上形成该阻障层及/或还原层。一种在一基材处理平台中用以于一基材表面上形成一矽化物接触孔(contact)的方法，该基材处理平台包含一主要平台，该主要平台具有围住一主要平台处理区的一或多个壁，该方法至少包含：提供一基材，该基材上具有一暴露的矽基(silicon-based)材料；移除该矽基材料上的一原生氧化层，以暴露出一未氧化的表面；于该未氧化的表面上形成一氢化层；在一环控封闭区中利用一无电沉积制程来沉积一金属层至该未氧化的表面上，其中在该未氧化的表面上形成一矽与金属化学键，且其中该环控封闭区配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；以及退火处理该基材，以于该暴露的矽基材料表面生成一第一阶段矽化物。如申请专利范围第46项所述之方法，其中上述之矽基材料选自由单晶矽、单晶矽锗化物、多晶矽、和多晶矽锗化物所构成之群组。如申请专利范围第46项所述之方法，其中上述之金属层是由一材料所组成，该材料系选自由镍、钴、和其组合物所构成之群组。如申请专利范围第46项所述之方法，其中上述之形成该氢化层的步骤是透过使用一蚀刻原生氧化物的溶液完成，该溶液包含：一氢氟酸；以及一添加剂，该添加剂系选自由乙醇胺、二乙醇胺、和三乙醇胺所构成之群组。如申请专利范围第48项所述之方法，其中上述之退火处理该基材的制程系于约350℃至约450℃的温度下进行。如申请专利范围第46项所述之方法，其中上述之退火处理该基材的步骤生成一第一阶段矽化物层与一额外的金属层，该方法更包含使用一酸剥除制程来移除该额外的金属层。如申请专利范围第51项所述之方法，更包含退火处理该基材，以生成一第二阶段的矽化物层。如申请专利范围第46项所述之方法，更包含在进行该无电沉积制程的同一制程室中来洗涤与乾燥该基材。如申请专利范围第46项所述之方法，更包含在沉积该金属层之后，利用一蒸汽乾燥制程来乾燥该基材。如申请专利范围第46项所述之方法，更包含移除该矽基材料上的有机污染物。如申请专利范围第55项所述之方法，其中上述之移除有机污染物的制程包含使用一SC-1清洗制程。如申请专利范围第55项所述之方法，其中上述之移除有机污染物的步骤包含使用一超临界流体。如申请专利范围第49项所述之方法，其中上述之移除有机污染物的制程与移除一原生氧化层的制程为在同一制程室中进行。如申请专利范围第46项所述之方法，其中上述之移除一原生氧化层的制程包含：在一电浆加强乾蚀刻室中，移除该基材之该表面上的一原生氧化层，该电浆加强乾蚀刻室包含：一温控之基材支撑物；一温控之室体；一上盖组件，含有一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃；以及一处理区域，位于该第二电极与该基材支撑物之间，其中多个制程气体从该上盖组件流出。一种无电沉积群集工具(cluster tool)，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；至少一无电电镀单元(electroless plating cell)，配置于一环控封闭区中，其中该环控封闭区配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；一无电沉积溶液源，设以提供一无电沉积溶液给该环控封闭区中的该至少一无电电镀单元；以及至少一流体处理室，配置在该主要平台处理区中。如申请专利范围第60项所述之群集工具，其中上述之环控封闭区包含：一基材传输装置，系适以传输该环控封闭区内的多个基材；以及一加热器，该加热器适于加热该处理气体，其中该处理气体是一惰气。如申请专利范围第60项所述之群集工具，更包含：至少一整合式斜面清洗室，配置在该主要平台处理区内；以及至少一旋转洗涤乾燥室，配置在该主要平台处理区内。如申请专利范围第62项所述之群集工具，更包含一电浆处理室，该电浆处理室系耦接该主要平台并且适以在一基材上形成一还原层及/或一催化层，其至少包含：一或多个壁，形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位于该一或多个壁之一上，其中该温控之基材支撑物适以在进行制程时支撑该基材；一气体供应源，适以提供适当之制程气体至该处理区域，以于该基材上形成一还原层及/或一催化层；一气体分散喷洒头，位于该一或多个壁之一上，且与该气体供应源为流体连通，其中该气体分散喷洒头系适以将该些制程气体均匀地分配至该处理区域；以及一RF电源供应器，连接该气体分散喷洒头，如此该气体分散喷洒头可适以控制在该处理区域内产生的一电浆。如申请专利范围第63项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的一电浆加强乾蚀刻室，其至少包含：一温控之室体，具有一或多个壁，该等壁形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位在该处理区域中；一上盖组件，含有一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃，而该第二电极系适以加热该基材；以及一流体源，系与该上盖组件为流体连通，其中该流体源适于从该上盖组件输送一制程气体至该基材之该表面。如申请专利范围第63项所述之群集工具，其中上述之气体供应源更适以提供适当之该些制程气体至该处理区域，以于该基材上形成一阻障层。如申请专利范围第60项所述之群集工具，更包含：至少一刷箱室，配置在该主要平台处理区内；以及至少一蒸汽乾燥室，配置在该主要平台处理区内。如申请专利范围第60项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的一电浆加强乾蚀刻室，其至少包含：一温控之基材支撑物；一温控之室体；一上盖组件，含有一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃，而该第二电极系适以加热该基材；以及一处理区域，位于该第二电极与该基材支撑物之间，其中多个制程气体从该上盖组件流到该基材之该表面。如申请专利范围第60项所述之群集工具，其中上述之环控封闭区包含：一基材支撑装置(substrate support assembly)，具有一基材支撑面，其中该基材支撑装置系适以置中与旋转一基材；以及一流体分配臂，系适以分配多种处理流体至置放于该基材支撑面上的一基材之一表面上，其中该流体分配臂更包含：复数个流体导管，用以供应一流体至一基材之一表面，其中该流体选自由一无电沉积流体、一洗涤流体、和一基材斜面清洗流体所构成之群组；以及一流体喷嘴，与该些流体导管其中之一为流体连通，且适以输送一流体至该基材之一边缘。一种无电沉积群集工具，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；至少两个无电电镀单元，该至少两个无电电镀单元耦接在一起并且配置在该主要平台处理区内，其中该至少两个无电电镀单元的各者包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；一无电沉积溶液源，设以提供一无电沉积溶液给该环控封闭区中的该至少两个无电电镀单元；至少一电镀单元，位于该主要平台上；至少一整合式斜面清洗室，位于该主要平台上；以及至少一旋转洗涤乾燥室，位于该主要平台上。如申请专利范围第69项所述之群集工具，更包含至少一乾处理室，该乾处理室耦接该主要平台并且设以在该乾处理室中使用一沉积气体沉积一层于一基材上，该沉积气体是从一沉积气体源输送而来。如申请专利范围第69项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的至少一电浆加强乾蚀刻室。一种无电沉积群集工具，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；至少两个无电电镀单元，配置在一环控封闭区中，该环控封闭区配置在该主要平台处理区内，其中该至少两个无电电镀单元的各者包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区，该无电处理区形成在该环控封闭区内；以及一惰气源，该惰气源设以提供一惰气至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；一无电沉积溶液源，设以提供一无电沉积溶液给该环控封闭区中的该至少两个无电电镀单元；以及至少一旋转洗涤乾燥室，位于该主要平台上。如申请专利范围第72项所述之群集工具，其中上述之环控封闭区包含：一基材传输装置，用以在该环控封闭区内在该至少两个无电电镀单元的各者中的无电处理区之间传输多个基材。如申请专利范围第72项所述之群集工具，更包含至少一刷箱室，其配置在该主要平台处理区内。如申请专利范围第72项所述之群集工具，更包含至少一整合式斜面清洗室，其配置在该主要平台处理区内。如申请专利范围第75项所述之群集工具，其中上述之整合式斜面清洗室与该旋转洗涤乾燥室系结合成配置在该主要平台处理区内的一混成(hybrid)之整合式斜面清洗/旋转洗涤乾燥室。如申请专利范围第72项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的至少一电浆加强乾蚀刻室。如申请专利范围第72项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的至少一超临界清洗室。一种无电沉积群集工具，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；至少两个无电电镀单元，配置于一环控封闭区中，该环控封闭区配置在该主要平台处理区内，其中该至少两个无电电镀单元的各者包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一惰气源，该惰气源设以提供一惰气至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；一无电沉积溶液源，设以提供一无电沉积溶液给该环控封闭区中的该至少两个无电电镀单元；至少一刷箱室，位于该主要平台上；以及至少一蒸汽乾燥室，位于该主要平台上。如申请专利范围第79项所述之群集工具，其中上述之环控封闭区包含：一基材传输装置，适以在该环控封闭区内在该至少两个无电电镀单元之间传输多个基材。如申请专利范围第79项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的至少一电浆加强乾蚀刻室。一种无电沉积群集工具，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；至少一乾处理室，耦接该主要平台，且适以于一基材上形成一还原层及/或一催化层，其中该至少一乾处理室包含：一或多个壁，形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位于该一或多个壁之一上，其中该温控之基材支撑物适以在进行制程时支撑该基材的一背面；一气体供应源，适以提供适当之制程气体至该处理区域，以于该基材的一前面上形成一还原层及/或一催化层；一气体分散喷洒头，位于该一或多个壁之一上，且与该气体供应源为流体连通，其中该气体分散喷洒头系适以将该些制程气体均匀地分配至该处理区域；以及至少一流体处理室，配置在一环控封闭区中，该环控封闭区配置在该主要平台处理区内，其中该至少一流体处理室包含：一或多个壁，该等壁围住一处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该处理区以控制该处理区中的氧含量一基材支撑装置，系配置在该处理区中并且适以支撑与旋转该基材；一或多个流体分配臂，系适以分配多种处理流体至配置于该基材支撑装置上的一基材之一前面上；以及一基材处理平台组件，系适以于进行制程时分配一温控之液体至该基材之该背面。如申请专利范围第82项所述之群集工具，其中上述之气体供应源系适以提供一制程气体给该处理区域，其中该制程气体系适以在配置于该温控之基材支撑物上的一基材之一表面上形成一阻障层。如申请专利范围第82项所述之群集工具，其中上述之气体供应源更适以提供适当之制程气体给该处理区域，以于该基材上形成一含钌阻障层。如申请专利范围第82项所述之群集工具，其中上述之乾处理室更包含：一四氧化钌产生系统，包含：一容器，适以保留一定量的金属钌；一氧化源，适以输送一含臭氧之气体至该容器，以在该容器中形成一含四氧化钌之气体；以及一来源容器组件，与该容器及该乾处理室中形成的该处理区域为流体连通，且适以收集该容器内形成的该含四氧化钌之气体，其中该来源容器组件包含：一来源容器，耦接一气体流动导管，该气体流动导管用于将该容器连接该处理区域；一热交换装置，热连接(thermal communication)至该来源容器中配置的一收集表面，且适以控制该收集表面的温度，以使收集的该四氧化钌在第一段时间内在该收集表面上维持冷凝并且于一第二段时间内从该收集表面蒸发或昇华；以及一惰气源，该惰气源与该来源容器连通，其中该惰气源设以在该第一段时间内输送一惰气通过该来源容器至一排放装置且随后在该第二段时间内输送该惰气至该处理区域。如申请专利范围第82项所述之群集工具，更包含：一整合式斜面清洗制程室，配置在该主要平台上，且具有一或多个流体分配臂，该些流体分配臂系适以输送一流体至放置于一基材支撑物上的一基材之一表面，其中该整合式斜面清洗制程室更包含：复数个流体导管，用以供应一流体至一基材之一表面，其中该流体选自由一无电沉积流体、一洗涤流体、和一基材斜面清洗流体所构成之群组；以及一流体喷嘴，与该些流体导管其中之一为流体连通，且适以输送一流体至该基材之一边缘；以及一旋转洗涤乾燥室，配置在该主要平台上。如申请专利范围第82项所述之群集工具，更包含：至少一制程室，配置在该基材上并且用以在该基材上进行一整合式斜面清洗制程；至少一刷箱室；以及至少一蒸汽乾燥室。如申请专利范围第82项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的一电浆加强乾蚀刻室，其至少包含：一温控之室体，具有一或多个壁，该等壁形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位在该处理区域中；一上盖组件，包括一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃，而该第二电极系适以加热该基材；以及一流体源，与该上盖组件为流体连通，其中该流体源系适以从该上盖组件输送一制程气体至该基材之该表面。如申请专利范围第82项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台之至少一超临界清洗室。一种无电沉积(electroless deposition)群集工具，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；至少一电浆处理室，耦接该主要平台，且适以于一基材上形成一还原层，其中该电浆处理室包含：一或多个内壁，形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位于该一或多个壁之一上，其中该温控之基材支撑物系适以在进行制程时来支撑该基材的一背面；一气体供应源，适以提供多个制程气体至该处理区域，以在该基材之一前面上形成一还原层及/或一催化层；以及一气体分散喷洒头，位于该一或多个壁之一上，且与该气体供应源为流体连通，其中该气体分散喷洒头系适以将该等制程气体均匀地分配至该处理区域；以及至少一流体处理室，配置在该主要平台上，且适以透过一无电电镀制程而于一基材之一表面上形成一含金属之催化层及/或一导电层，其中该流体处理室包含：一或多个壁，该等壁围住一处理区；一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该处理区以控制该处理区中的氧含量；一基材支撑装置，配置在该处理区中并且适以支撑与旋转该基材；一或多个流体分配臂，适以分配多种处理流体至位于该基材支撑装置上的该基材之一前面上；以及一基材处理平台组件，适以在进行制程期间分配一温控液体至该基材之该背面。如申请专利范围第90项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的至少一电浆处理室，该电浆处理室系适以于一基材上形成一阻障层，其至少包含：一或多个壁，形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位于该一或多个壁之一上，其中该温控之基材支撑物适以在进行制程时支撑该基材；一气体供应源，适以提供适当之制程气体给该处理区域，以于该基材上形成一阻障层；一气体分散喷洒头，位于该一或多个壁之一上，且与该气体供应源为流体连通，其中该气体分散喷洒头系适以将该些制程气体均匀地分配至该处理区域；以及一RF电源供应器，连接该气体分散喷洒头，如此该气体分散喷洒头可适于控制在该处理区域内产生的一电浆。如申请专利范围第90项所述之群集工具，其中上述之气体供应源更适以输送可于一基材表面上形成一阻障层的一制程气体。如申请专利范围第90项所述之群集工具，更包含：至少一制程室，配置在该主要平台处理区中并且适以在一基材上进行一整合式斜面清洗制程；以及至少一旋转洗涤乾燥室，配置在该主要平台处理区中。如申请专利范围第90项所述之群集工具，更包含：至少一制程室，配置在该主要平台处理区中且适以在该基材上进行一整合式斜面清洗制程；至少一刷箱室，配置在该主要平台处理区中；以及至少一蒸汽乾燥室，配置在该主要平台处理区中。如申请专利范围第90项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的一电浆加强乾蚀刻室，其至少包含：一温控之室体，具有一或多个壁，该等壁形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位在该处理区域中；一上盖组件，含有一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃，而该第二电极系适以加热该基材；以及一流体源，系与该上盖组件为流体连通，其中该流体源适以从该上盖组件输送一制程气体至该基材之该表面。一种无电沉积群集工具，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；至少一电浆处理室，耦接该主要平台并且适以于一基材上形成一还原层及/或一阻障层，该电浆处理室包含：一或多个壁，形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位于该一或多个壁之一上，其中该温控之基材支撑物系适以在进行制程时支撑该基材；一气体供应源，适以提供适当之制程气体至该处理区域，以于该基材上形成一还原层及/或一阻障层；一气体分散喷洒头，位于该一或多个壁之一上，且与该气体供应源为流体连通，其中该气体分散喷洒头系适以将该些制程气体均匀地分配至该处理区域；以及一RF电源供应器，连接该气体分散喷洒头，如此该气体分散喷洒头可适以控制在该处理区域内产生的一电浆；一第一流体处理室，适以透过一无电电镀制程而于该基材上形成一含金属之催化层及/或一导电层，其中该第一流体处理室配置在该主要平台处理区内并且包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；以及一无电沉积溶液源，设以提供一无电沉积溶液给该无电处理区；以及一第二流体处理室，适以透过一电镀制程而于该基材上形成一导电层，其中该第二流体处理室配置在该主要平台处理区内；以及一机械臂组件，包含至少一个机械臂，其中该机械臂组件设以将一基材输送至该至少一电浆处理室、该第一流体处理室、以及该第二流体处理室。如申请专利范围第96项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的一电浆加强乾蚀刻室，其至少包含：一温控之室体，具有一或多个壁，该等壁形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位在该处理区域中；一上盖组件，含有一第一电极与一第二电极，其中电浆于该第一电极与该第二电极之间点燃，而该第二电极系适以加热该基材；以及一流体源，与该上盖组件为流体连通，其中该流体源适以从该上盖组件输送一制程气体至该基材之该表面。一种用于沉积一或多个电镀层于一基材上的群集工具，其至少包含：一主要平台，具有围住一主要平台处理区的一或多个壁；一处理室，耦接该主要平台并且适以于一基材上沉积一含钌之催化层，该处理室包含：一四氧化钌产生系统，包含：一容器，适以保留一定量的金属钌；一氧化源，适以输送一含臭氧之气体至该容器，以在该容器中形成一含四氧化钌之气体；以及一来源容器组件，与该容器为流体连通，且适以收集该容器内形成的该含四氧化钌之气体，其中该来源容器组件包含：一来源容器，耦接一气体流动导管，该气体流动导管用于将该容器连接该处理区域；以及一热交换装置，热连接至该来源容器中配置的一收集表面，且适以控制该收集表面的温度，以使收集的该四氧化钌在第一段时间内在该收集表面上维持冷凝并且于一第二段时间内从该收集表面蒸发或昇华；以及一惰气源，该惰气源与该来源容器连通，其中该惰气源设以在该第一段时间内输送一惰气通过该来源容器至一排放装置且随后在该第二段时间内输送该惰气至该处理区域；以及一流体制程室，配置在该主要平台处理区内且适以于该基材上形成一导电层；以及一机械臂组件，包含至少一个机械臂，其中该机械臂组件设以将一基材从该处理室输送至该流体制程室。如申请专利范围第98项所述之群集工具，其中上述之适以形成一导电层的该流体制程室为一无电电镀室，该无电电镀室包含：至少一无电电镀单元，配置于一环控封闭区中，该环控封闭区配置在该主要平台处理区内，其中该无电电镀单元包含：一或多个壁，该等壁围住一无电处理区；以及一处理气体源，该处理气体源设以提供一处理气体至该无电处理区以控制该无电处理区中的氧含量；以及一无电沉积溶液源，设以提供一无电沉积溶液给该环控封闭区中的该至少一无电电镀单元。如申请专利范围第99项所述之群集工具，更包含一电浆处理室，该电浆处理室耦接该主要平台并且适以于该基材上形成一还原层及/或一阻障层，其至少包含：一或多个壁，形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位于该一或多个壁之一上，其中该温控之基材支撑物系适以在进行制程时支撑该基材；一气体供应源，适以提供适当之制程气体至该处理区域，以在该温控之基材支撑物上的一基材之一表面上形成一还原层及/或一阻障层；一气体分散喷洒头，位于该一或多个壁之一上，且与该气体供应源为流体连通，其中该气体分散喷洒头系适以将该些制程气体均匀地分配至该处理区域；以及一RF电源供应器，连接该气体分散喷洒头，如此该气体分散喷洒头可适以控制在该处理区域内产生的一电浆。如申请专利范围第98项所述之群集工具，其中上述之适以形成一导电层的该流体制程室为一电镀室。如申请专利范围第101项所述之群集工具，更包含耦接该主要平台的一电浆处理室，该电浆处理室系适以于该基材上形成一还原层及/或一阻障层，其至少包含：一或多个壁，形成一处理区域；一温控之基材支撑物，位于该一或多个壁之一上，其中该温控之基材支撑物系适以在进行制程时支撑该基材；一气体供应源，系适以提供适当之制程气体至该处理区域，以在该温控之基材支撑物上的一基材之一表面上形成一还原层及/或一阻障层；一气体分散喷洒头，位于该一或多个壁之一上，且与该气体供应源为流体连通，其中该气体分散喷洒头系适以将该些制程气体均匀地分配至该处理区域；以及一RF电源供应器，连接该气体分散喷洒头，如此该气体分散喷洒头可适以控制在该处理区域内产生的一电浆。