晶圆定位用之方法

摘要

一种晶圆(3)定位用之方法，晶圆具有一参考标记(6)且此方法在具有一输送室的真空处理设备中进行，此输送室包含：一输送装置(2，20，21)，其使晶圆(3)在一平面中移动至一配置在此室上的加工室；以及一各别的感测器(1)，其在该加工室之前配置在该输送室内部中，以便藉由第一侦测点(4)上和第二侦测点(5)上此晶圆之边缘的测定来测得此晶圆(3)之位置，以藉由此二个已测量的侦测点(4，5)之电子式之计算以便在晶圆直径已知时求出此晶圆(12)之实际位置，且各输送装置(2，20，21)继续将此晶圆(3)导引至一种所期望的额定位置上，其中此晶圆(3)在参考其参考标记(6)之情况下在对准至各输送装置(2，20，21)时放置在一预设的位置中且此参考标记(6)沿着一移动方向而形成在此晶圆(3)上的投影决定了一种不允许之区域(22)，晶圆(3)之其余区域界定了一种自由区，其中在该输送室中须配置此感测器(1)，使该不允许之区域(22)能可靠地不会被涂层且此感测器(1)只可测得晶圆边缘之圆形的区域而不能测得此参考标记(6)之某些部份。

主权项

一种晶圆(3)定位用之方法，晶圆具有一参考标记(6)且此方法在具有一输送室的真空处理设备中进行，此输送室包含：一输送装置(2，20，21)，其使晶圆(3)在一平面中移动至一配置在此室上的加工室；以及一各别的感测器(1)，其配置在该加工室前的该输送室内部中，以便藉由此晶圆之边缘的第一侦测点(4)上和第二侦测点(5)上之测定来测得此晶圆(3)之位置，藉由此二个已测量的侦测点(4，5)之电子式计算以便在晶圆直径已知时求出此晶圆(12)之实际位置，且各输送装置(2，20，21)继续将此晶圆(3)导引至一种所期望的额定位置上，本方法之特征是：此晶圆(3)在参考其参考标记(6)之情况下在对准至各输送装置(2，20，21)时放置在一预设的位置中，且此参考标记(6)沿着一移动方向而形成在此晶圆(3)上的投影决定了一种不允许之区域(22)，晶圆(3)之其余区域界定了一种自由区，其中在该输送室中须配置此感测器(1)，使该不允许之区域(22)能可靠地不会被去除，且此感测器(1)可以只测得晶圆边缘之圆形的区域，而不是测得此参考标记(6)之某些部份。如申请专利范围第1项之方法，其中此定位过程是对晶圆(3)之一种定中心的过程，使晶圆中心(12)继续导引至预设之所期望的额定位置。如申请专利范围第1或2项之方法，其中首先在第一晶圆(3)上进行测量且在下一个输送步骤中以另一个晶圆而在额定位置上进行修正。如申请专利范围第1项之方法，其中对平移式的偏差进行修正。如申请专利范围第1项之方法，其中此输送装置进行一种旋转式移动以及一种由旋转中心(20)来回进行地径向移动，以便在加工室及/或闸门室中对一晶圆(3)进行输送及/或定位。如申请专利范围第5项之方法，其中该真空处理设备是一种群集-组态。如申请专利范围第1项之方法，其中每个待测量的晶圆(3)在晶圆边缘上只测得二个侦测点(4，5)。如申请专利范围第1项之方法，其中此晶圆(3)藉由在一输送平面中一种旋转式移动及/或直线移动而以其边缘导引至感测器(1)上，以测得各侦测点(4，5)。如申请专利范围第1项之方法，其中在广泛地互相分开的位置上选取各侦测点(4，5)，但各侦测点之间的距离小于待测量的晶圆直径。如申请专利范围第1项之方法，其中须选取晶圆支件，使其不干扰此测量过程且较佳是定位在不允许的区域(22)下方。如申请专利范围第1项之方法，其中每一晶圆(3)以参考标记(6)来对准且放置在输送装置(2，20，21)之支件上，较佳是针对旋转中心(20)而对准径向横向移动之方向。如申请专利范围第1项之方法，其中在决定该不允许的区域(22)时须计算各输送装置(2，20，21)之定位准确性之容许度范围。如申请专利范围第1项之方法，其中须考虑不同的晶圆大小且这是由晶圆的参考标记(6)之相同的位置开始进行，以形成一种表示该自由区域(7)的重叠区(9)。如申请专利范围第1项之方法，其中较佳是对每一晶圆(3)都测得晶圆(3)之与额定位置的偏差且予以储存，以求得此系统之状态而导出各种修正措施。如申请专利范围第1项之方法，其中晶圆(3)首先在加工室中加工，然后由加工室输送至输送室中，并在输送室中以各别的感测器(1)来测量并以电子元件来处理各测量值，在达到及/或超过一预定的值时，在下一步骤中进行相对应的修正措施。如申请专利范围第15项之方法，其中须处理多个测量步骤，且求出一种误差形式的趋势，然后决定此真空处理设备之下一操作方式所需的措施，特别是控制各输送装置(2，20，21)所需的措施。如申请专利范围第16项之方法，其中此趋势分析由于输送装置之误差设定而须接触此晶圆(3)且以晶圆(3)来求得。如申请专利范围第16项之方法，其中此趋势分析由于在加工期间层生长在遮光物部份上而须使晶圆(3)局部性地偏移至输送装置之支件(10)上来求得。如申请专利范围第16项之方法，其中此趋势分析中能求得一种静电晶圆支件之支持力之效率损耗相对于操作时间的关系。