| 主权项 |
一种放大器电路，其包含：一第一单元，包含一第一放大单元，该第一放大单元包含一第一主要电路单元和一第一辅助电路单元，而该第一辅助电路单元系被配置用以辅助该第一主要电路单元之线性度，该第一主要电路单元具有一第一电晶体，该第一辅助电路单元包含至少一个第二电晶体；以及一第二单元，包含一第二放大单元，该第二放大单元包含一第二主要电路单元及一第二辅助电路单元，该第二主要电路单元系为一第三电晶体，该第二辅助电路单元系为至少一个第四电晶体，而该第二辅助电路单元系被配置用以辅助该第二主要电路单元之线性度；其中，该第一主要电路单元之线性度系藉由该至少一个第二电晶体之宽长比以调整或藉由一连接至该至少一个第二电晶体之第一偏压电压以调整；其中，该第一放大单元系被配置用以在一输入信号的一半周期内导通，而该第二放大单元系被配置用以在该输入信号的另一半周期内导通。根据请求项1之放大器电路，其中当该第一电晶体为NMOS电晶体时，该至少一个第二电晶体为NMOS电晶体，该第三电晶体为PMOS电晶体，而该至少一个第四电晶体为PMOS电晶体。根据请求项1之放大器电路，其中该第一电晶体之汲极连接至一电源，源极连接至一参考电位，而闸极连接至一第一偏压电压，该至少一个第二电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至一第二偏压电压，该第三电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至一第三偏压电压，且该至少一个第四电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至一第四偏压电压。根据请求项1之放大器电路，其中当该第一电晶体为PMOS电晶体时，该至少一个第二电晶体为PMOS电晶体，该第三电晶体为NMOS电晶体，而该至少一个第四电晶体为NMOS电晶体。根据请求项1之放大器电路，其中该第一电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至一第五偏压电压，该至少一个第二电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至该第一偏压电压。根据请求项1之放大器电路，其中该第一电晶体系藉由一第一交流耦接电容连接至一第一节点，并藉由一第二交流耦接电容连接至一第二节点。根据请求项6之放大器电路，其中该至少一个第二电晶体系藉由一第三交流耦接电容连接至该第一节点。一种推挽式之放大器电路，其包含：一第一单元，包含一第一放大单元，该第一放大单元包含一第一主要电路单元和一第一辅助电路单元，而该第一辅助电路单元系被配置用以辅助该第一主要电路单元之线性度，该第一辅助电路单元包含至少一个第二电晶体；一第二单元，包含一第二放大单元，该第二放大单元包含一第二主要电路单元及一第二辅助电路单元，该第二主要电路单元系为一第三电晶体，该第二辅助电路单元系为至少一个第四电晶体，该第二辅助电路单元系被配置用以辅助该第二主要电路单元之线性度，该第一主要电路单元之该线性度系藉由一连接至该至少一个第二电晶体之第一偏压电压以调整，该第一电晶体之汲极连接至一电源，源极连接至一参考电位，而闸极连接至一第二偏压电压，该至少一个第二电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至该第一偏压电压，该第三电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至一电三偏压电压，该至少一个第四电晶体之汲极连接至该电源，源极连接至该参考电位，而闸极连接至一第四偏压电压，该第一主要电路单元之线性度系藉由该第二偏压电压以调整，该第二主要电路单元之线性度系藉由该第四偏压电压以调整。根据请求项8之放大器电路，其中该第一主要电路单元之线性度系藉由该至少一个第二电晶体之宽长比以调整。根据请求项8之放大器电路，其中该至少一个第二电晶体与该第一电晶体之宽长比相同，且该第一主要电路单元之线性度系藉由该至少一个第二电晶体之数目以调整。根据请求项8之放大器电路，其中该第二主要电路单元之线性度系藉由该至少一个第四电晶体之宽长比以调整。根据请求项8之放大器电路，其中该至少一个第四电晶体与该第三电晶体之宽长比相同，且该第二主要电路单元之线性度系藉由该至少一个第四电晶体之数目以调整。根据请求项8之放大器电路，其中该第一单元更包含一第一输入匹配网路和一第一输出匹配网路。根据请求项8之放大器电路，其中该第二单元更包含一第二输入匹配网路和一第二输出匹配网路。一种调整放大器电路线性度的方法，包含以下步骤：接收一输入信号；在该输入信号的一半周期内导通一第一放大单元，并关闭一第二放大单元，该第一放大单元包含一第一主要电路单元及一第一辅助电路单元，该第二放大单元包含一第二主要电路单元及一第二辅助电路单元，该第一主要电路单元包含一第一电晶体，该第一辅助电路单元包含至少一个第二电晶体，该第二主要电路单元包含一第三电晶体及至少一个第四电晶体；在该输入信号的另一半周期内关闭该第一放大单元，并导通该第二放大单元；当该第一放大单元被导通时，接收一第一控制信号，藉以调整该第一放大单元导通时的线性度；以及当该第二放大单元被导通时，接收一第二控制信号，藉以调整该第二放大单元导通时的线性度；其中，该第一控制信号系被用于调整该至少一个第二电晶体之宽长比及该第二控制信号系被用于调整该至少一个第四电晶体之宽长比，其中该至少一个第二电晶体与该第一电晶体之宽长比相同，且该第一控制信号系用以调整该第二电晶体之数目。根据请求项15之方法，其中该至少一个第四电晶体与该第三电晶体之宽长比相同，且该第二控制信号系用以调整该至少一个第四电晶体之数目。 |
