堆叠电容的储存电极结构及其制法

摘要

一种储存电极结构，包含有一基底，其上设有一导电区域；一蚀刻停止层，覆盖该导电区域；一导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；一环形的导电侧壁子，设于该导电层侧壁上，其中该导电侧壁子位于该蚀刻停止层上，且该导电层与该导电侧壁子构成一储存电极基柱；以及一储存电极上部，叠设于该储存电极基柱上。

主权项

一种储存电极结构，包含有：一基底，其上设有一导电区域；一蚀刻停止层，覆盖该导电区域；一导电层，穿过该蚀刻停止层，而与该导电区域电连接；一环形的导电侧壁子，设于该导电层侧壁上，其中该导电层与该导电侧壁子构成一储存电极基柱；以及一储存电极上部，叠设于该储存电极基柱上。如申请专利范围第1项所述之储存电极结构，其中该导电侧壁子系位于该蚀刻停止层上。如申请专利范围第1项所述之储存电极结构，其中该储存电极上部为一圆筒形结构。如申请专利范围第1项所述之储存电极结构，其中该储存电极基柱的高度介于0.6μm至0.8μm之间。如申请专利范围第1、4项所述之储存电极结构，其中该储存电极上部的高度介于0.6μm至0.8μm之间。如申请专利范围第1项所述之储存电极结构，其中该蚀刻停止层为一氮化矽层。如申请专利范围第1项所述之储存电极结构，其中该导电层为一掺杂多晶矽层。如申请专利范围第1项所述之储存电极结构，其中该导电侧壁子由金属所构成。如申请专利范围第1项所述之储存电极结构，其中该储存电极上部由金属所构成。一种制作堆叠电容的储存电极的方法，包含有：提供一基底，其上设有一导电区域，一蚀刻停止层，覆盖该导电区域，以及一第一介电层，覆盖该蚀刻停止层；在该蚀刻停止层及该第一介电层中蚀刻出一第一孔洞，暴露出该导电区域；在该第一孔洞内形成一第一导电层；去除该第一介电层；在该第一导电层的侧壁上形成一环形的导电侧壁子，其中该导电侧壁子与该第一导电层构成一储存电极基柱；以及于该储存电极基柱上形成一储存电极上部。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该第一导电层填满该第一孔洞，并且与该导电区域电连接。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该环形的导电侧壁子系形成在该蚀刻停止层之上。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该储存电极上部为一圆筒形结构。如申请专利范围第12项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中形成该储存电极上部系包含以下步骤：在该基底上沈积一第二介电层；在该第二介电层中蚀刻出一第二孔洞，暴露出该储存电极基柱；在该第二孔洞内壁上形成一第二导电层；以及去除该第二介电层。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该蚀刻停止层为一氮化矽层。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该第一介电层包含未掺杂矽玻璃(USG)层或硼矽玻璃(BSG)。如申请专利范围第10或16项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该第一介电层的厚度介于0.6μm至0.8μm之间。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该第一导电层为一掺杂多晶矽层。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该导电侧壁子由金属所构成。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该第二介电层包含未掺杂矽玻璃(USG)层或硼矽玻璃(BSG)。如申请专利范围第10项所述之制作堆叠电容的储存电极的方法，其中该第二导电层由金属所构成。