记忆体结构

摘要

一种记忆体结构，包括基底、开关元件、记忆体元件及字元线。开关元件是个电晶体，设置于基底上，且由下而上包括第一电极、第二电极及第三电极，其中第二电极沿着第一延伸方向进行延伸。记忆体元件设置于该开关元件上，且由下而上包括下电极、可变电阻材料层及上电极，其中上电极同时作为位元线使用，并沿着第二延伸方向进行延伸。字元线设置于第二电极上方并与第二电极电性连接，且沿着第三延伸方向进行延伸，其中第三延伸方向与第二延伸方向相交，且第三延伸方向与第一延伸方向的夹角介于0度至90度之间。

主权项

一种记忆体结构，包括：一基底；一开关元件，是一电晶体，设置于该基底上，且由下而上包括一第一电极、一第二电极及一第三电极，其中该第二电极沿着一第一延伸方向进行延伸；一记忆体元件，设置于该开关元件上，且由下而上包括一下电极、一可变电阻材料层及一上电极，其中该上电极同时作为一位元线使用，并沿着一第二延伸方向进行延伸；以及一字元线，设置于该第二电极上方并与该第二电极电性连接，且沿着一第三延伸方向进行延伸，其中该第三延伸方向与该第二延伸方向相交，且该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角介于0度至90度之间。如申请专利范围第1项所述之记忆体结构，其中该开关元件包括双载子电晶体或金氧半环绕闸极电晶体。如申请专利范围第1项所述之记忆体结构，其中该可变电阻材料层的材料包括过渡金属氧化物(transition metal oxide)、钙钛矿(perovskite)或硫属化合物(chalcogenide)。如申请专利范围第1项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为18度至72度。如申请专利范围第1项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为25度至65度。如申请专利范围第1项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为45度。一种记忆体结构，包括：一基底；一双载子电晶体，包括：一射极，设置于该基底上；一基极，设置于该射极上，且沿着一第一延伸方向进行延伸；以及一集极，设置于该基极上；一记忆体元件，包括：一下电极，设置于该集极上；一可变电阻材料层，设置于该下电极上；以及一上电极，设置于该可变电阻材料层上，且同时作为一位元线使用，并沿着一第二延伸方向进行延伸；以及一字元线，设置于该基极上方并与该基极电性连接，且沿着一第三延伸方向进行延伸，其中该第三延伸方向与该第二延伸方向相交，且该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角介于0度至90度之间。如申请专利范围第7项所述之记忆体结构，更包括一共射极，设置于该基底与该射极之间。如申请专利范围第7项所述之记忆体结构，其中该射极与该集极为相同的导电类型，且该射极与该基极为不同的导电类型。如申请专利范围第7项所述之记忆体结构，其中该可变电阻材料层的材料包括过渡金属氧化物、钙钛矿或硫属化合物。如申请专利范围第7项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为18度至72度。如申请专利范围第7项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为25度至65度。如申请专利范围第7项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为45度。一种记忆体结构，包括：一基底；一双载子电晶体，包括：一凸出部，设置于该基底上，且沿着一第一延伸方向进行延伸；一射极，为该凸出部的下部；一基极，为该凸出部的上部并邻接该射极，且沿着该第一延伸方向进行延伸；以及一集极，位于该基极中；一记忆体元件，包括：一下电极，设置于该集极上；一可变电阻材料层，设置于该下电极上；以及一上电极，设置于该可变电阻材料层上，且同时作为一位元线使用，并沿着一第二延伸方向进行延伸；以及一字元线，设置于该基极上方并与该基极电性连接，且沿着一第三延伸方向进行延伸，其中该第三延伸方向与该第二延伸方向相交，且该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角介于0度至90度之间。如申请专利范围第14项所述之记忆体结构，其中该射极与该集极为相同的导电类型，且该射极与该基极为不同的导电类型。如申请专利范围第14项所述之记忆体结构，其中该可变电阻材料层的材料包括过渡金属氧化物、钙钛矿或硫属化合物。如申请专利范围第14项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为18度至72度。如申请专利范围第14项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为25度至65度。如申请专利范围第14项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为45度。一种记忆体结构，包括：一基底；一金氧半环绕闸极电晶体，包括：一半导体柱，设置于该基底上；一源极，为该半导体柱的下部；一汲极，为该半导体柱的上部；以及一闸极，环绕该源极与该汲极之间的该半导体柱，且沿着一第一延伸方向进行延伸；一记忆体元件，包括：一下电极，设置于该汲极上；一可变电阻材料层，设置于该下电极上；以及一上电极，设置于该可变电阻材料层上，且同时作为一位元线使用，并沿着一第二延伸方向进行延伸；以及一字元线，设置于该闸极上方并与该闸极电性连接，且沿着一第三延伸方向进行延伸，其中该第三延伸方向与该第二延伸方向相交，且该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角介于0度至90度之间。如申请专利范围第20项所述之记忆体结构，其中该半导体柱的材料包括矽材料。如申请专利范围第20项所述之记忆体结构，其中该可变电阻材料层的材料包括过渡金属氧化物、钙钛矿或硫属化合物。如申请专利范围第20项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为18度至72度。如申请专利范围第20项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为25度至65度。如申请专利范围第20项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为45度。一种记忆体结构，包括：一基底；一双载子电晶体，包括：一射极，设置于该基底上；一基极，设置于该射极上，且沿着一第一延伸方向进行延伸；以及一集极，设置于该基极中；一记忆体元件，包括：一可变电阻材料层，设置于该集极上；以及一上电极，设置于该可变电阻材料层上，且同时作为一位元线使用，并沿着一第二延伸方向进行延伸；以及一字元线，设置于该射极中并与该基极邻接，且与该射极电性隔离，并沿着一第三延伸方向进行延伸，其中该第三延伸方向与该第二延伸方向相交，且该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角介于0度至90度之间。如申请专利范围第26项所述之记忆体结构，更包括一隔离结构，设置于该射极与该字元线之间，以电性隔离该射极与该字元线。如申请专利范围第26项所述之记忆体结构，其中该射极与该集极为相同的导电类型，且该射极与该基极为不同的导电类型。如申请专利范围第26项所述之记忆体结构，其中该可变电阻材料层的材料包括过渡金属氧化物、钙钛矿或硫属化合物。如申请专利范围第26项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为18度至72度。如申请专利范围第26项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为25度至65度。如申请专利范围第26项所述之记忆体结构，其中该第三延伸方向与该第一延伸方向的夹角为45度。如申请专利范围第26项所述之记忆体结构，其中该记忆体元件更包括一下电极，设置于该可变电阻材料层与该集极之间。