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一种用于形成一个半导体元件的方法，该方法系包括步骤有：在一个界定一转接插塞接点区域的半导体基板上形成一个凹陷闸极；在该凹陷闸极的侧壁上形成一闸极间隙壁；软性蚀刻在一个转接插塞接点区域中的半导体基板，以形成一个具有一圆形轮廓以及一侧壁的凹陷；在该闸极间隙壁以及该凹陷的侧壁上形成一侧壁间隙壁，其中，该侧壁间隙壁系厚于该闸极间隙壁；在包含该凹陷闸极、凹陷闸极间隙壁以及凹陷的半导体基板之上形成一绝缘膜；在该绝缘膜上执行平坦化制程，直到曝露该凹陷闸极；选择性地蚀刻该绝缘膜，以形成一个转接插塞接点孔；以及利用一导电层填入该转接插塞接点孔，以形成一个转接插塞。如申请专利范围第1项之方法，其中该闸极间隙壁系具有在一个大约50至100的范围中的厚度。如申请专利范围第1项之方法，其系包括藉由一种化学蚀刻方法来执行用于该凹陷的软性蚀刻制程。如申请专利范围第1项之方法，其系包括在一个大约500W至大约3,000W的范围中的功率以及在一个大约500mTorr至大约2,000mTorr的范围中的压力下，且在一从由NF3、O2、He及其组合所构成的群组中选出的氛围下执行该软性蚀刻制程。如申请专利范围第1项之方法，其中该凹陷系具有在一个大约50至大约200的范围中的深度。如申请专利范围第1项之方法，其中该侧壁间隙壁系具有在一个大约130至大约300的范围中的厚度。如申请专利范围第1项之方法，其中该层间绝缘膜系包括一具有在一个大约3,000至大约8,000的范围中的厚度的硼磷矽玻璃(“BPSG”)膜。如申请专利范围第1项之方法，其更包括在该层间绝缘膜之上执行一个湿式退火制程。如申请专利范围第1项之方法，其系包括在一个大约500W至大约2,000W的范围中的功率以及在一个大约10mTorr至大约150mTorr的范围中的压力下，在从由CF4、CHF3、O2、N2、C4F6、Ar以及该等气体的组合所构成的群组中选出的气体氛围下执行该选择性地蚀刻该层间绝缘膜的制程。如申请专利范围第1项之方法，其更包括在该转接插塞接点孔之上执行一个湿式清洗制程。如申请专利范围第10项之方法，其系包括利用一种包含从由H2SO4、H2O2及其组合所构成的群组中选出的至少一者的缓冲氧化蚀刻剂(BOE)溶液来执行该湿式清洗制程。如申请专利范围第1项之方法，其中该导电层系包括一具有在一个大约1,000至大约3,000的范围中的厚度的多晶矽层。 |
