自我清洁触媒化学蒸着装置及其清洁方法

摘要

【课题】;提供不需要将触媒体加热至2000℃以上，抑制清洁气体所致之控制触媒体的腐蚀劣化，即能以低成本进行实用的清洁速度与良好清洁之自我清洁触媒化学蒸着装置。;【解决手段】;将由加热用电源6及该加热用电源6的各端子6a、6b间，把定流通电至反应容器2内的触媒体4之导线5a、5b，令为与反应容器2之间呈导电绝缘的状态，将含有卤素元素的清洁气体导入已经过排气的反应容器2内，藉由加热用电源6而来的通电来加热触媒体4，在使藉由此加热而产生的活性种与附着于反应容器2内的附着膜起反应，而除去附着膜之时，由定压电源8，对加热用电源6的导线5b，施加适当的极性且适当值之直流偏电压。

主权项

一种自我清洁触媒化学蒸着装置，系针对在可真空排气的反应容器内利用经过电阻加热的触媒体之触媒作用，而形成薄膜之触媒化学蒸着装置，其特征为：具备：用来将偏电压施加至上述触媒体的电源；用来切换施加之偏电压之极性的切换开关；用来导入清洁气体的气体供给口；和用来检测上述触媒自体之蚀刻之发生的监视装置；由上述气体供给口所导入的清洁气体接触上述经过电阻加热的触媒体而分解产生的基种，将上述反应容器内所附着之附着膜予以去除之际，对触媒体施加不使触媒自体发生蚀刻之极性的偏电压。如申请专利范围第1项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，设置将清洁气体分解成基种而导入至前述反应容器的基种产生器。如申请专利范围第1项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，前述清洁气体系，含有卤素元素气体，与非活性气体及还原性气体的其中一种气体的混合气体。如申请专利范围第1项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，前述清洁气体含有非活性气体及还原性气体的其中一种气体，根据非活性气体及还原性气体之种类来选用偏电压之极性。如申请专利范围第1项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，当前述规定极性之偏电压为零时，前述清洁气体系含有卤素元素气体与还原性气体的混合气体。如申请专利范围第3、4或5项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，前述含有卤素元素气体系，NF3、HF、C2F6、C3F8、SF6、CF4、ClF3、CClF3、C2ClF5及CCl4的其中一种，或是这些气体的组合，前述还原性气体系H2，前述非活性气体系惰性气体。如申请专利范围第1项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，前述清洁气体系含有卤素元素气体与H2的混合气体，且施加正极性的前述偏电压。如申请专利范围第1项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，前述清洁气体系含有卤素元素气体与Ar的混合气体，且施加负极性的前述偏电压。如申请专利范围第1项所记载之自我清洁触媒化学蒸着装置，其中，检测前述触媒体自体蚀刻之发生的监视装置，是根据触媒体的电阻来进行监视。一种触媒化学蒸着装置的清洁方法，系就在可真空排气的反应容器内利用经过电阻加热的触媒体之触媒作用，而形成薄膜之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其特征为：具备将规定极性的偏电压施加于经过电阻加热的触媒体之过程；及导入清洁气体的过程；及让清洁气体去接触经过电阻加热的触媒体而分解产生基种的过程；及对附着于反应容器内的附着膜导入清洁气体的状态下监视上述触媒自体蚀刻之发生的过程。如申请专利范围第10项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，导入前述清洁气体的过程系，将清洁气体分解成基种而导入前述反应容器内的过程。如申请专利范围第10项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，前述清洁气体系，含有卤素元素气体，与非活性气体及还原性气体的其中一种气体的混合气体。如申请专利范围第10项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，前述清洁气体含有非活性气体及还原性气体的其中一种气体，根据非活性气体及还原性气体的种类，施加决定好之极性的偏电压。如申请专利范围第10项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，当前述规定极性之偏电压为零时，前述清洁气体系含有卤素元素气体与还原性气体的混合气体。如申请专利范围第12、13或14项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，前述含有卤素元素气体系，NF3、HF、C2F6、C3F8、SF6、CF4、ClF3、CClF3、C2ClF5及CCl4的其中一种，或是这些气体的组合，前述还原性气体系H2，前述非活性气体系惰性气体。如申请专利范围第10项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，前述清洁气体系含有卤素元素气体与H2的混合气体，且施加正极性的前述偏电压。如申请专利范围第10项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，前述清洁气体系含有卤素元素气体与Ar的混合气体，且施加负极性的前述偏电压。如申请专利范围第10项所记载之触媒化学蒸着装置的清洁方法，其中，在清洁中，当场根据触媒体的电阻来监视前述触媒体自体蚀刻的发生。