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一种光能转换的触媒材料之制备方法，包含：将包含Ag之正金属离子溶液及包含In之正金属离子溶液与包含S之负离子溶液混合得到一金属混合液，其中Ag元素与In元素之莫耳比介于1.5-5之间；以及利用液相沉积(Liquid phase deposition，LPD)薄膜技术，将上述金属混合液在一基板上沉积一层包含AgInS2及AgIn5S8所构成之混相结构之薄膜。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，更包含：对该薄膜进行锻烧(annealing)的程序，使结晶结构完整。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该液相沉积法系为一化学浴沉积法(Chemical Bath Deposition,CBD)。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该基板为一导电基板。如申请专利范围第4项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该基板为金属、或具有导电层之玻璃、矽晶圆或塑胶基板。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该包含Ag之离子溶液系包含硝酸银溶液。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该包含In之离子溶液系包含硝酸铟溶液。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该包含S之离子溶液系包含硫乙醯胺(TAA)水溶液。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，更包含将一错合剂与该金属混合液混合。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，在将该包含Ag之离子溶液及包含In之离子溶液与包含S离子溶液混合后，更包含用一酸性溶液调整该金属混合液之pH值至不大于1。如申请专利范围第9项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，该错合剂具有一浓度介于0.3M~0.5M之间。如申请专利范围第9项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，该错合剂系为硝酸胺水溶液、三乙醇铵(Triethanolamine，TEA)、或其混合。如申请专利范围第10项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该酸性溶液可为盐酸、硫酸、醋酸、硝酸、或磷酸。如申请专利范围第1项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该正金属离子溶液与负离子溶液的体积比介于1：1至1：20之间。如申请专利范围第3项所述之光能转换的触媒材料之制备方法，其中该化学浴沉积法(Chemical Bath Deposition,CBD)之温度系控制在40~90℃之间。一种光能转换的触媒材料，包含由申请专利范围第1项所述之方法所制备而得之薄膜。一种光能转换的触媒材料，包含：一薄膜，该薄膜同时包含AgInS2及AgIn5S8所构成之混相结构。 |
