控制一微机电系统装置内结构之机电行为

摘要

在一实施例中，本发明提供一种用于制造一微机电系统装置之方法。该方法包含：制造一第一层，该第一层包含一具有一特征机电回应及一特征光学回应之薄膜，其中该特征光学回应系良好的而该特征机电回应系不良的；及藉由至少减少在启动该微机电系统装置期间于该第一层上累积之电荷来修正该第一层之该特征机电回应。

主权项

一种具有一基板之机电装置，其包含：一电极层，其形成于该基板上；一介电层，其形成于该电极层上；一第一蚀刻障壁层，其形成于该介电层上；一第二蚀刻障壁层，其形成于该第一蚀刻障壁层上；一空腔，其定位于该第二蚀刻障壁上；及一移动层，其定位于该空腔上。如请求项1之装置，其中该第二蚀刻障壁层包含氧化矽。如请求项2之装置，其中该介电层包含氧化矽且该第一蚀刻障壁层包含氧化铝。如请求项2之装置，其中该介电层包含一电荷截获层。如请求项1之装置，其中该第二蚀刻障壁层包含氮化矽。如请求项5之装置，其中该介电层包含氧化矽且该第一蚀刻障壁层包含氧化铝。如请求项5之装置，其中该介电层包含氮化矽且该第一蚀刻障壁层包含氧化铝。如请求项1之装置，其中该第二蚀刻障壁层包含钛。如请求项1之装置，其中该第二蚀刻障壁层包含钼。如请求项1之装置，其中该第二蚀刻障壁层包含非晶矽。如请求项1之装置，其中该第二蚀刻障壁层于该第一蚀刻障壁层之表面上具有一变化厚度。如请求项11之装置，其中该第二蚀刻障壁仅覆盖该第一蚀刻障壁层之一部分。如请求项1之装置，其另外包含：一处理器，其与该电极层及该可移动层中之至少一者电通信，该处理器经组态以处理影像资料；及一记忆装置，其与该处理器电通信。如请求项13之装置，其另外包含一驱动器电路，该驱动器电路经组态以将至少一讯号发送至该电极层及该可移动层中之至少一者。如请求项14之装置，其另外包含一控制器，该控制器经组态以将该影像资料之至少一部分发送至该驱动器电路。如请求项13之装置，其进一步包含一影像源模组，该影像源模组经组态以将该影像资料发送至该处理器。如请求项16之装置，其中该影像源模组包含一接收器、收发器及传输器中之至少一者。如请求项13之装置，其进一步包含一输入装置，该输入装置经组态以接收输入资料并将该输入资料通信至该处理器。一种操作如请求项1之装置的方法，该方法包含将一第一讯号施加至该电极层并将一第二讯号施加至该可移动层，从而使得该可移动层于该空腔内移动。一种机电装置，其包含：用于传导一电讯号之传导构件；用于支撑该传导构件之支撑构件；用于使该传导构件电绝缘之绝缘构件；用于保护该绝缘构件之第一保护构件；用于保护该第一保护构件之第二保护构件；及用于界定一具有一可变尺寸之空腔的界定构件。如请求项20之装置，其中：该支撑构件包含一透明基板；该传导构件包含一形成于该透明基板上之电极层；且该界定构件包含藉由一空腔与该第一保护构件分离之可移动层。如请求项20或21之装置，其中该绝缘构件包含一形成于该传导构件上之介电层。如请求项22之装置，其中该介电层包含氧化矽及氮化矽中之至少一者。如请求项20或21之装置，其中该第一保护构件包含一形成于该绝缘构件上之第一蚀刻障壁层。如请求项20或21之装置，其中该蚀刻障壁层包含氧化铝。如请求项20或21之装置，其中该第二保护构件包含一形成于该第一保护构件上之第二蚀刻障壁层。如请求项26之装置，其中该第二蚀刻障壁层包含氧化矽、氮化矽、非晶矽、钼及钛中之至少一者。一种制造一机电装置之方法，其包含：于一基板上沉积一电极层；于该电极层上沉积一介电层；于该介电层上沉积一蚀刻终止层；及于该蚀刻终止层上沉积一保护层。如请求项28之方法，其中该蚀刻终止层包含氧化铝，且其中该介电层包含氮化矽。如请求项28之方法，其中该蚀刻终止层包含氧化铝，且其中该介电层包含氧化矽。如请求项28之方法，其中该蚀刻终止层包含氧化铝，该方法另外包含于该电极层上沉积一第二氧化铝层，其中该介电层系沉积于该第二氧化铝层上。如请求项28之方法，其中该蚀刻终止层包含氧化铝，该方法另外包含：于该保护层上沉积至少一第一牺牲层；于该牺牲层上沉积一反射层；及蚀刻该第一牺牲层以完全移除该第一牺牲层，进而建立一干涉空腔。如请求项32之方法，其中蚀刻该第一牺牲层以完全移除该第一牺牲层包含相对于该蚀刻障壁层蚀刻该第一牺牲层及该保护层两者。如请求项32之方法，其中蚀刻该第一牺牲层以完全移除该第一牺牲层包含相对于该保护层蚀刻该第一牺牲层。如请求项34之方法，其另外包含相对于该蚀刻障壁层蚀刻该保护层，其中于移除该第一牺牲层之后蚀刻该保护层。如请求项32之方法，其另外包含：执行一初步蚀刻以移除该第一牺牲层之一部分，进而曝露该保护层之一部分；及于该第一牺牲层上沉积至少一第二牺牲层；其中该蚀刻该第一牺牲层以完全移除该第一牺牲层包含移除该第二牺牲层之至少一部分。如请求项36之方法，其中该保护层包含氧化矽。如请求项36之方法，其中该保护层包含氮化矽。如请求项36之方法，其中该保护层包含非晶矽。如请求项36之方法，其中该保护层包含钼。如请求项36之方法，其中该保护层包含钛。如请求项36之方法，其中蚀刻该第一牺牲层以完全移除该第一牺牲层随后移除该保护层之至少一部分。一种制造一机电装置之方法，其包含：于一基板上沉积一电极层；于该电极层上沉积一第一介电层；于该第一介电层上沉积第二介电层；于该第二介电层上沉积一第三介电层；于该第三介电层上沉积一第一牺牲层；执行一初步蚀刻以移除该第一牺牲层之一部分，进而曝露该第三介电层之至少一部分；及于该第一牺牲层之剩余部分及该第三介电层之该曝露部分上沉积一第二牺牲层。如请求项43之方法，其中该第一介电层包含氧化矽及氮化矽中之至少一者。如请求项43之方法，其中该第二介电层包含氧化铝。如请求项43之方法，其中该第三介电层包含一保护层。如请求项46之方法，其中该保护层包含氧化矽、氮化矽、非晶矽、钼及钛中之至少一者。如请求项43之方法，其中该初步蚀刻蚀刻相对于该第三介电层之该第一牺牲层。如请求项43之方法，其另外包含：于该第二牺牲层上形成一反射层；图案化该反射层以形成至少两个可移动层；及蚀刻该第一牺牲层及该第二牺牲层，进而形成至少一第一空腔及一第二空腔，其中该第一空腔之一高度不同于该第二空腔之一高度。如请求项49之方法，其中蚀刻该第一牺牲层及该第二牺牲层包含蚀刻相对于该第二介电层之该第一层及该第二层。如请求项50之方法，其中蚀刻第一牺牲材料及第二牺牲材料移除该第三介电层之至少一部分。一种机电装置，其包含：一基板；一电极层，其定位于一基板上；一电荷截获层，其定位于该电极层上，其中该电荷截获层经组态以截获正电荷及负电荷两者；及一第一蚀刻障壁层，其定位于该电荷截获层上。如请求项52之装置，其中该第一蚀刻障壁层包含氧化铝。如请求项52之装置，其中该电荷截获层包含氮化矽及五氧化二钽中之至少一者。如请求项52之装置，其另外包含一定位于该第一蚀刻障壁层上之第二蚀刻障壁层。如请求项55之装置，其中该第二蚀刻障壁层包含一材料，该材料系由下列各物组成之群中选出：氧化矽、氮化矽、非晶矽、钼及钛。如请求项52之装置，其另外包含：一处理器，其与该电极层及该可移动层中之至少一者电通信，该处理器经组态以处理影像资料；及一记忆装置，其与该处理器电通信。如请求项57之装置，其另外包含一驱动器电路，该驱动器电路经组态以将至少一讯号发送至该电极层及该可移动层中之至少一者。如请求项58之装置，其另外包含一控制器，该控制器经组态以将该影像资料之至少一部分发送至该驱动器电路。如请求项57之装置，其进一步包含一影像源模组，该影像源模组经组态以将该影像资料发送至该处理器。如请求项60之装置，其中该影像源模组包含一接收器、收发器及传输器中之至少一者。如请求项57之装置，其进一步包含一输入装置，该输入装置经组态以接收输入资料并将该输入资料通信至该处理器。一种制造一机电装置之方法，其包含：于一基板上沉积一电极层；于该电极层上沉积一电荷截获层，其中该电荷截获层经组态以截获正电荷及负电荷两者；及于该电荷截获层上沉积一第一蚀刻障壁层。如请求项63之方法，其中该第一蚀刻障壁包含氧化铝。如请求项64之方法，其中该电荷截获层包含氮化矽。如请求项64之方法，其中该电荷截获层包含五氧化二钽。如请求项63之方法，其另外包含：于该第一蚀刻障壁层上沉积一第二蚀刻障壁层；于该第二蚀刻障壁层上沉积一第一牺牲材料层；执行一第一蚀刻以移除该第一牺牲材料层之一部分，进而曝露该第二蚀刻障壁层之一部分；于该第一牺牲材料层上并于该第二蚀刻障壁层之该曝露部分上沉积至少一第二牺牲材料层；于该第一牺牲材料层及该第二牺牲材料层上沉积一电极层；及执行一第二蚀刻以移除至少该第一牺牲材料层及该第二牺牲材料层，进而形成一干涉空腔。如请求项67之方法，其中该第一蚀刻蚀刻相对于该第二蚀刻障壁层之该第一牺牲材料层。如请求项67之方法，其中该第二蚀刻蚀刻相对于该第一蚀刻障壁层之该第一牺牲材料层及该第二牺牲材料层。如请求项67之方法，其中该第二蚀刻障壁层包含一材料，该材料系由下列各物组成之群中选出：氧化矽、氮化矽、非晶矽、钼及钛。如请求项67之方法，其中该第一蚀刻系使用一蚀刻剂而执行，该第二蚀刻障壁层比该第一牺牲层更加抗该蚀刻剂。如请求项67之方法，其中该第二蚀刻障壁系于该第二蚀刻期间至少部分移除且该第一蚀刻障壁层系抗该第二蚀刻的。一种机电装置，其包含：一基板；一电极层，其形成于该基板上；一氮化矽层，其形成于该电极层上；及一氧化铝层，其形成于该氮化矽层上。如请求项73之装置，其另外包含：一空腔，其形成于该氧化铝层上；及一可移动层，其形成于该空腔上。如请求项74之装置，其中该装置系一干涉调变器。如请求项75之装置，其另外包含一形成于该氧化铝层上之氧化矽层。如请求项76之装置，其中该氧化矽层系于支撑该空腔上之该可移动层的柱之下之该氧化铝层上。如请求项74之装置，其另外包含一形成于该氧化铝层上之氮化矽层。如请求项78之装置，其中该氮化矽层系于支撑该空腔上之该可移动层的柱之下之该氧化铝层上。如请求项73之装置，其另外包含一第二氧化铝层，其中该第二氧化铝层系形成于该电极层上，且其中该氮化矽层系形成于该第二氧化铝层上。一种操作如请求项74之装置的方法，该方法包含将一第一讯号施加至该电极层并将一第二讯号施加至该可移动层，从而使得该可移动层于该空腔内移动。一种机电装置，其包含：用于传导一电讯号之构件；用于支撑该传导构件之构件；用于截获正电荷及负电荷两者之构件；及用于保护该用于截获电荷之构件的构件。如请求项82之装置，其中该支撑构件包含一透明基板，且其中该用于传导一电讯号之构件包含一形成于该透明基板上之电极层。如请求项82或83之装置，其中该电荷截获构件包含一形成于该传导构件上之电荷截获材料层，该电荷截获材料经组态以截获正电荷及负电荷两者。如请求项82或83之装置，其中该保护构件包含一形成于该电荷截获构件上之蚀刻障壁层。