发明名称 Substrat für IC-Bausteine mit Mehrschichtglaskern und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要 Es werden Ausführungsformen eines Substrats für einen IC(Integrated Circuit)-Baustein offenbart. Das Substrat enthält einen Kern, der aus zwei oder mehr diskreten Glasschichten besteht, die miteinander verbondet wurden. Eine separate Bondungsschicht kann zwischen benachbarten Glasschichten angeordnet werden, um diese Schichten miteinander zu koppeln. Das Substrat kann außerdem Aufbaustrukturen auf gegenüberliegenden Seiten des Mehrschichtglaskerns oder eventuell auf einer Seite des Kerns enthalten. Elektrisch leitfähige Anschlüsse können auf beiden Seiten des Substrats ausgebildet werden, und ein IC-Chip kann auf einer Seite des Substrats mit den Anschlüssen gekoppelt werden. Die Anschlüsse auf der gegenüberliegenden Seite können mit einer Komponente der nächsten Ebene, wie zum Beispiel einer Leiterplatte, gekoppelt werden. Ein oder mehrere Leiter erstrecken sich durch den Mehrschichtglaskern, und ein oder mehrere der Leiter können elektrisch mit den über dem Kern angeordneten Aufbaustrukturen gekoppelt sein. Es werden noch weitere Ausführungsformen beschrieben und beansprucht.
申请公布号 DE112010004888(T5) 申请公布日期 2012.10.18
申请号 DE20101104888T 申请日期 2010.11.01
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 MA, QING;HU, CHUAN;MORROW, PATRICK
分类号 H01L23/485;H05K3/46 主分类号 H01L23/485
代理机构 代理人
主权项
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