| 摘要 |
Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) angegeben umfassend – einen Halbleiterkörper (2) mit einer aktiven Zone (3), die unpolarisierte Strahlung mit einem ersten Strahlungsanteil (S1) einer ersten Polarisation und mit einem zweiten Strahlungsanteil (S2) einer zweiten Polarisation emittiert, – eine Gitterstruktur (4), die als Verzögerungsplatte oder Polarisationsfilter wirkt und eine Erhöhung des einen Strahlungsanteils (S1, S2) gegenüber dem anderen Strahlungsanteil (S2, S1) in der vom Halbleiterchip (1) durch eine Auskoppelseite (6) emittierten Strahlung (S) bewirkt, so dass der Halbleiterchip (1) polarisierte Strahlung (S) emittiert, welche die Polarisation des verstärkten Strahlungsanteils (S1, S2) aufweist, wobei der abgeschwächte Strahlungsanteil (S2, S1) im Halbleiterchip (1) verbleibt, – eine optische Struktur (5), welche die Polarisation zumindest eines Teils des im Halbleiterchip (1) verbleibenden abgeschwächten Strahlungsanteils (S2, S1) in die Polarisation des verstärkten Strahlungsanteils (S1, S2) umwandelt, und – eine der Auskoppelseite (6) gegenüber liegende, reflektierende Rückseite (7). |
