发明名称 半导体器件
摘要 目的是提供即使没有提供电源时也可保持所存储的数据的半导体器件,且对于写入周期的次数没有限制。本发明的半导体器件,包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该位线的第一驱动电路、电连接至第一信号线的第二驱动电路、电连接至第二信号线的第三驱动电路、以及电连接至字线和源极线的第四驱动电路。使用除氧化物半导体之外的半导体材料形成第一晶体管。使用氧化物半导体材料形成第二晶体管。
申请公布号 CN102742003A 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201080061571.6 申请日期 2010.12.20
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 山崎舜平;小山润;加藤清
分类号 H01L21/8247(2006.01)I;G11C11/402(2006.01)I;G11C11/405(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/788(2006.01)I;H01L29/792(2006.01)I 主分类号 H01L21/8247(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张欣
主权项 一种半导体器件,包括:源极线;延伸交叉所述源极线的位线;第一信号线;第二信号线;字线;存储单元;电连接至所述位线的第一驱动电路;和电连接至所述源极线的第二驱动电路;其中所述存储单元包括具有第一栅电极、第一源电极、以及第一漏电极的第一晶体管;具有第二栅电极、第二源电极、以及第二漏电极的第二晶体管;以及电容器,其中所述第二晶体管包括氧化物半导体,其中所述第一栅电极、所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个、以及所述电容的电极中的一个,彼此电连接,其中所述源极线电连接至所述第一源电极,其中所述位线电连接至所述第一漏电极,其中所述第一信号线电连接至所述第二源电极和所述第二漏电极中的另一个,其中所述第二信号线电连接至所述第二栅电极,且其中所述字线电连接至所述电容器的电极中的另一个。
地址 日本神奈川县