发明名称 |
一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法 |
摘要 |
本发明公开了一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法,具有如下步骤:a、将厚度为160μm~200μm的原生N型硅片浸入RCAI溶液中漂洗,去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质;b、将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗;c、将清洗后的硅片浸入RCAII溶液中漂洗,去除硅片表面残留的钠、铁、镁和锌金属污染物;d、将漂洗后的硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡;e、将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干;f、上述样片用氢氧化钾钝化后密封,利用μ-PCD法进行少子寿命测试本发明。本发明对厚度为160-200μm的N型太阳能级硅硅片钝化后,硅片的少子寿命大大提高,提高了测试精度。 |
申请公布号 |
CN102735510A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210205274.5 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
常州天合光能有限公司 |
发明人 |
张弛;熊震;付少永 |
分类号 |
G01N1/28(2006.01)I;G01N1/34(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
G01N1/28(2006.01)I |
代理机构 |
常州市维益专利事务所 32211 |
代理人 |
王凌霄 |
主权项 |
一种测量N型硅片少子寿命的钝化方法,其特征是:具有如下步骤:a、将原生N型硅片浸入RCAI溶液中漂洗,去除硅片表面附着的颗粒、油污和金属杂质;b、将漂洗后的硅片置于HF酸溶液中清洗;c、将清洗后硅片浸入RCAII溶液中漂洗,去除硅片表面残留的钠、铁、镁和锌金属污染物;d、将漂洗后硅片浸入由氢氟酸、硝酸混合去离子水制得的酸性漂洗液中浸泡;e、将浸泡后硅片置于去离子水中漂洗后用氮气吹干;f、上述吹干后的样片用浓度为4.0~4.8mol/l氢氧化钾钝化后密封,利用μ‑PCD法进行少子寿命测试。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区电子产业园天合路2号 |