| 发明名称 | 沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种沟槽式MOS晶体管及其制造方法、集成电路。根据本发明的沟槽式MOS晶体管包括依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端。并且，所述沟槽式MOS晶体管还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽中，在所述多晶硅栅的侧面及底面包围有栅氧化层。所述沟槽式MOS晶体管还包括形成在所述衬底背面的漏端。其中，在所述衬底的背面形成了衬底凹槽结构，并且所述漏端填充了所述衬底凹槽结构。根据本发明，由于衬底中形成了填充有导电材料的沟槽结构，从而可以有效地降低衬底的等效电阻，由此能够有效降低沟槽式MOS晶体管的源端至漏端的导通电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN102738219A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210230396.X | 申请日期 | 2012.07.04 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 刘宪周 |
| 分类号 | H01L29/417(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/417(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种沟槽式MOS晶体管，其特征在于包括：依次形成在衬底正面的外延层、沟道区以及源端，并且，所述沟槽式MOS晶体管还包括多晶硅栅，所述多晶硅栅位于沟道区及外延层的沟槽中，在所述多晶硅栅的侧面及底面包围有栅氧化层；并且所述沟槽式MOS晶体管还包括形成在所述衬底背面的漏端；其中，在所述衬底的背面形成了衬底凹槽结构，并且所述漏端填充了所述衬底凹槽结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||