发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
一种半导体器件包括:电平移位电路,将具有从第一电源电势至第二电源电势的振幅的输入信号转换为具有从第一电源电势至第三电源电势的振幅的信号;第一输出部分,基于电平移位电路的输出,将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端,所述第一输出部分包括NMOS晶体管;以及第二输出部分,基于电平移位电路的输出,将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端,所述第二输出部分包括PMOS晶体管。 |
申请公布号 |
CN101340189B |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN200810128305.5 |
申请日期 |
2008.07.04 |
申请人 |
瑞萨电子株式会社 |
发明人 |
川东章悟 |
分类号 |
H03K19/0185(2006.01)I;H03K19/0948(2006.01)I |
主分类号 |
H03K19/0185(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
陆锦华;黄启行 |
主权项 |
一种半导体器件,包括:电平移位电路,基于输入信号来输出第一信号和第二信号,所述输入信号具有从第一电源电势至第二电源电势的振幅,所述第一信号具有从所述第一电源电势至第三电源电势的振幅并且具有和输入信号的逻辑电位相同的逻辑电位,并且所述第二信号具有从所述第一电源电势至所述第三电源电势的振幅并且具有相对于所述输入信号的反相逻辑电位;第一NMOS晶体管,基于所述第一信号,将从所述第三电源电势产生的电压输出至输出端;以及第一PMOS晶体管,基于所述第二信号,将从所述第三电源电势产生的电压输出至所述输出端,其中,所述第一PMOS晶体管的源级连接到所述第一NMOS晶体管的漏极并连接到第三电源电势,所述第一PMOS晶体管的漏极连接到所述第一NMOS晶体管的源级并连接到所述输出端。 |
地址 |
日本神奈川 |