发明名称 |
一种IGBT电路 |
摘要 |
本发明公开了一种IGBT电路,包括:一驱动单元、IGBT、保护电路;其中保护电路包括:开关单元、控制单元、熔断器、稳压二极管;所述开关单元的两端分别与驱动单元及熔断器相连,所述开关单元的控制端与控制单元相连,所述控制单元接收驱动单元的信号以控制开关单元的导通与断开,熔断器与IGBT的门极相连,稳压二极管的正端连接所述开关单元与熔断器的连接点,稳压二极管的负端连接IGBT的发射极。本发明有效解决了现有技术中的IGBT电路并联应用中如果有一路IGBT发生损坏,集电极的高电压会窜到其它支路IGBT门极上,瞬间引起门级连锁击穿的问题。 |
申请公布号 |
CN102006040B |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN200910189823.2 |
申请日期 |
2009.08.28 |
申请人 |
比亚迪股份有限公司 |
发明人 |
韩瑶川;夏文锦;沈丽 |
分类号 |
H03K17/567(2006.01)I;H03K17/08(2006.01)I |
主分类号 |
H03K17/567(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种IGBT电路,包括:一驱动单元、IGBT;其特征在于:还包括保护电路;所述保护电路包括:开关单元、控制单元、熔断器、稳压二极管;所述开关单元的两端分别与驱动单元及熔断器相连,所述开关单元的控制端与控制单元相连,所述控制单元接收驱动单元的信号以控制开关单元的导通与断开,熔断器与IGBT的门极相连,稳压二极管的正端连接所述开关单元与熔断器的连接点,稳压二极管的负端连接IGBT的发射极;所述IGBT为复数个IGBT,所述保护电路为复数个保护电路;所述复数个保护电路与复数个IGBT一一对应,复数个保护电路中的开关单元均连接至驱动单元。 |
地址 |
518118 广东省深圳市龙岗区坪山镇横坪公路3001号 |