| 发明名称 | 一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺，其中，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在所述半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面；S6：再次对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅层、氮化硅层中形成通孔之后，然后利用氮气的等离子体同时对所述HARP膜从PETEOS氧化硅层中外露的部分以及在通孔中外露的部分进行处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102738006A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210135982.6 | 申请日期 | 2012.05.04 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 郑春生;张文广;傅昶;陈玉文 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种用于45纳米及以下技术节点的金属前介质集成工艺，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在所述半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面； S6：再次对所述HARP膜进行氮气、氧气、臭氧等离子体处理；S7：在所述HARP膜和PETEOS氧化硅层、氮化硅层中形成通孔之后，然后利用氮气的等离子体同时对所述HARP膜从PETEOS氧化硅层中外露的部分以及在通孔中外露的部分进行处理。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||