半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法

摘要

本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置，该半导体装置的特征在于：该绝缘基板的耐热温度为600℃以下，该多个单晶半导体元件为MOS晶体管，该MOS晶体管层叠有：第一栅极电极和侧壁；栅极绝缘膜；和该单晶半导体薄膜，该第一栅极电极与该单晶半导体薄膜的沟道自匹配，该侧壁与该单晶半导体薄膜的LDD区域自匹配，该第一栅极电极和该侧壁与该单晶半导体薄膜相比配置在上层。

主权项

一种半导体装置，其为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置，该半导体装置的特征在于：该绝缘基板的耐热温度为600℃以下，该多个单晶半导体元件为MOS晶体管，该MOS晶体管层叠有：第一栅极电极和侧壁；栅极绝缘膜；和该单晶半导体薄膜，该第一栅极电极与该单晶半导体薄膜的沟道自匹配，该侧壁与该单晶半导体薄膜的LDD区域自匹配，该第一栅极电极和该侧壁与该单晶半导体薄膜相比配置在上层。