| 发明名称 | 未金属硅化多晶硅熔丝 | ||
| 摘要 | 本文所公开的方法和结构的实施例提供了形成和编程未金属硅化多晶硅熔丝的机制。未金属硅化多晶硅熔丝和编程晶体管形成一次性可编程(OTP)存储器单元，该一次性可编程存储器单元可以用低编程电压编程。本发明还提供了一种未金属硅化多晶硅熔丝。 | ||
| 申请公布号 | CN102738114A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210022548.7 | 申请日期 | 2012.02.01 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林松杰;严光武;邱其煦;许国原 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C17/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种未金属硅化多晶硅熔丝，包括：阳极，其中所述阳极的第一部分由自对准硅化多晶硅制成，且所述阳极的第二部分由未金属硅化多晶硅制成；阴极，其中所述阴极的第一部分由自对准硅化多晶硅制成，且所述阴极的第二部分由未金属硅化多晶硅制成；以及熔丝链；其中所述熔丝链是由未金属硅化多晶硅制成，并且其中所述熔丝链物理连接于所述阳极的所述第二部分和所述阴极的所述第二部分。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||