发明名称 基于逆变焊机主电路的一种优化结构
摘要 本发明公开一种基于逆变焊机主电路的一种优化结构,包括主电路,主电路包括吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排和门极驱动线,吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排以紧密性结构置于散热器上,吸收电容直接利用其管脚连接与IGBT模块上,保证吸收电容连接电路的最短效果,吸收作用最优化,IGBT模块和整流模块之间用低电感母排直接相连,保证了最短连接距离,减少寄生电感。
申请公布号 CN102728933A 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201210182262.5 申请日期 2012.06.05
申请人 嘉兴斯达微电子有限公司 发明人 戴志展;陈浩
分类号 B23K9/10(2006.01)I 主分类号 B23K9/10(2006.01)I
代理机构 嘉兴君度知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人 沈志良
主权项 基于逆变焊机主电路的一种优化结构,包括主电路,其特征在于主电路包括吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排和门极驱动线;吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排以紧密性结构置于散热器上,吸收电容直接利用其管脚连接与IGBT模块上,IGBT模块和整流模块之间用低电感母排直接相连。
地址 314000 浙江省嘉兴市南湖区中环南路斯达路18号(嘉兴斯达半导体有限公司内)