发明名称 |
基于逆变焊机主电路的一种优化结构 |
摘要 |
本发明公开一种基于逆变焊机主电路的一种优化结构,包括主电路,主电路包括吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排和门极驱动线,吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排以紧密性结构置于散热器上,吸收电容直接利用其管脚连接与IGBT模块上,保证吸收电容连接电路的最短效果,吸收作用最优化,IGBT模块和整流模块之间用低电感母排直接相连,保证了最短连接距离,减少寄生电感。 |
申请公布号 |
CN102728933A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210182262.5 |
申请日期 |
2012.06.05 |
申请人 |
嘉兴斯达微电子有限公司 |
发明人 |
戴志展;陈浩 |
分类号 |
B23K9/10(2006.01)I |
主分类号 |
B23K9/10(2006.01)I |
代理机构 |
嘉兴君度知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33240 |
代理人 |
沈志良 |
主权项 |
基于逆变焊机主电路的一种优化结构,包括主电路,其特征在于主电路包括吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排和门极驱动线;吸收电容、IGBT模块、整流模块、低电感母排以紧密性结构置于散热器上,吸收电容直接利用其管脚连接与IGBT模块上,IGBT模块和整流模块之间用低电感母排直接相连。 |
地址 |
314000 浙江省嘉兴市南湖区中环南路斯达路18号(嘉兴斯达半导体有限公司内) |