一种基于自对准工艺的平面应变BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于自对准工艺的应变平面BiCMOS集成器件及制备方法，首先在衬底片上制备埋层，生长N型Si外延，制备深槽隔离和集电极接触区，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，淀积N型Poly-Si，去除掉发射极以外的Poly-Si，形成SiGe HBT器件；刻蚀出NMOS和PMOS器件有源区深槽，在槽中分别选择性外延生长：P型Si层、P型SiGe渐变层、P型SiGe层等作为NMOS器件有源区和N型Si层、N型应变SiGe层、N型Si帽层作为PMOS器件有源区；制备虚栅极与侧墙，自对准形成NMOS和PMOS器件源漏；制备栅极，形成CMOS结构，最终制成应变BiCMOS集成器件及电路；该方法充分利用电子迁移率高的张应变Si和空穴迁移率高的压应变SiGe分别作为NMOS和PMOS器件的导电沟道，有效地提高了BiCMOS集成电路的性能。

主权项

一种基于自对准工艺的应变BiCMOS集成器件，其特征在于，应变BiCMOS集成器件由应变Si平面沟道NMOS器件、应变SiGe平面沟道PMOS器件及双多晶SiGe HBT构成。