一种双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及制备方法，其过程为：在SOI衬底上生长N-Si作为双极器件集电区，光刻基区区域，在基区区域生长P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，制备深槽隔离，制备发射极、基极和集电极，形成SiGe HBT器件；光刻NMOS器件有源区沟槽，在沟槽中生长四层材料；光刻PMOS器件有源区沟槽，在沟槽内生长三层材料，在MOS有源区上制备漏极和栅极，形成MOS器件；光刻引线，构成双多晶平面SOI BiCMOS集成器件及电路；本发明充分了利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变SiGe材料空穴迁移率高于体Si材料特点，制备出了性能增强的双多晶平面SOI BiCMOS集成电路。

主权项

一种双多晶平面SOI BiCMOS集成器件，其特征在于，NMOS器件为应变Si平面沟道，PMOS器件为应变SiGe平面沟道，双极器件为SOI双多晶SiGe HBT器件。