| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一基板，其上提供第一场效应晶体管；以及第二基板，其上提供第二导电类型的第二场效应晶体管；第一和第二基板在其分别提供第一和第二场效应晶体管的基板面上彼此贴合；第一场效应晶体管和第二场效应晶体管彼此电连接。 | ||
| 申请公布号 | CN102738168A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210092869.4 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 横山孝司 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：第一基板，在所述第一基板上提供有第一场效应晶体管；以及第二基板，在所述第二基板上提供有第二场效应晶体管；所述第一基板和所述第二基板在它们的分别提供所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的基板面处彼此贴合；所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管彼此电连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||