| 发明名称 | 用于斜切块状衬底上的外延处理的方法和系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于斜切块状衬底上的外延处理的方法和系统。该方法在使用c面表面的Ga面c面(Al、Ga、In)N衬底上设置(Al、Ga、In)N薄膜，所述衬底朝向m方向的斜切大于至少0.35°。在平滑的(Al、Ga、In)N薄膜上形成发光器件。在平滑表面上制造的器件显示改善的性能。本发明还提供了由块状含镓和氮的衬底来制造光学器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102738321A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201210098117.9 | 申请日期 | 2012.04.05 |
| 申请人 | 天空公司 | 发明人 | 阿尔潘·查克拉博尔蒂;迈克尔·格林德曼;阿努拉·特亚吉 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 李丙林;张英 |
| 主权项 | 一种用于制造器件的方法，所述方法包括：提供具有表面区域的含镓和氮的衬底，所述表面区域的特征在于c面、从所述c面朝向m方向为至少0.35°的斜切角，并且表面法线的投影与m轴重合；形成含镓和氮的薄膜；以及形成覆盖所述薄膜的电接触区域。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||