| 发明名称 |
发光二极管封装结构及其制造方法 |
| 摘要 |
一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。本发明还涉及一种发光二极管封装结构的制造方法。 |
| 申请公布号 |
CN102738351A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
| 申请号 |
CN201110083148.2 |
申请日期 |
2011.04.02 |
| 申请人 |
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
林厚德;蔡明达 |
| 分类号 |
H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/48(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管封装结构，包括电极、发光二极管芯片以及绝缘层，所述电极包括第一电极和第二电极，该第一电极和第二电极相互间隔设置，所述发光二极管芯片与电极电性连接，所述绝缘层覆盖该电极和发光二极管芯片，其特征在于：所述第一电极上设有凹槽，所述发光二极管芯片容置于该凹槽中，所述第一电极和第二电极相互间隔处形成通道，该通道与该凹槽连通，所述绝缘层经由该通道填充于凹槽中。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |
