发明名称 |
一种双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件及制备方法,首先制备SOI衬底,上层基体材料为(110)晶面,下层基体材料为(100)晶面;生长N-Si作为双极器件集电区,光刻基区,在基区区域生长P-SiGe/i-Si/i-Poly-Si,制备发射极、基极和集电极,形成SiGe HBT器件;制备深槽隔离;在PMOS器件区域,选择性生长晶面为(110)的PMOS器件有源区,制备压应变Si垂直沟道PMOS器件;在NMOS器件区域刻蚀出深槽,选择性生长晶面为(100)的NMOS器件有源区,制备应变Si沟道NMOS器件;制成Si基BiCMOS集成器件及电路。本发明充分利用张应变Si材料电子迁移率高于体Si材料和压应变Si材料空穴迁移率高于体Si材料以及迁移率各向异性的特点,制备出了性能增强的双多晶、双应变混合晶面Si基BiCMOS集成电路。 |
申请公布号 |
CN102738161A |
申请公布日期 |
2012.10.17 |
申请号 |
CN201210244314.7 |
申请日期 |
2012.07.16 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
张鹤鸣;吕懿;胡辉勇;王海栋;宋建军;宣荣喜;舒斌;郝跃 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/8249(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种双多晶双应变混合晶面Si基BiCMOS集成器件,其特征在于,NMOS器件和PMOS器件均为应变Si MOS器件,双极器件为双多晶SiGe HBT。 |
地址 |
710065 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |