发明名称 制作多层式阵列型发光二极管的方法
摘要 本发明公开了一种制作多层式阵列型发光二极管的方法,首先一基板经一适当方法制成,两导线架定位于该基板的导线架容置槽中,接着射出成型一封装模块以将该基板与两导线架包埋固定,接着将所述发光二极管晶粒配置于该基板的出光区表面上,再使所述二极管发光晶粒与该两导线架形成一电性回路,在该发光二极管上依序形成保护层及荧光层,最后直接射出透镜罩在封装模块上,其中所述发光二极管能用阵列排列的方式配置于该基板上,又本发明是以层叠式方式的封装方法制成多层式阵列型发光二极管。
申请公布号 CN102214587B 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201010141869.X 申请日期 2010.04.08
申请人 盈胜科技股份有限公司 发明人 胡仲孚;吴永富
分类号 H01L21/50(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L33/62(2010.01)I 主分类号 H01L21/50(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人 刘俊
主权项 一种制作多层式阵列型发光二极管的方法,其特征在于,步骤包含有:制备一包含至少有一出光区及两导线架容置槽的基板,其中该出光区位于该基板的中间区块,以及该两导线架容置槽位于该基板的前后侧,其中该基板进一步包含有在该基板的一左侧与一右侧的每一个的至少一第一固定孔及至少一穿孔,以及相对应于该两导线架容置槽的每一导线架容置槽的至少两凹槽;分别定位两导线架于该两导线架容置槽所定义的容置空间中,其中每一导线架容置槽包含有位于相邻该出光区的一内连接区以及一位于相对远离该出光区的一外连接区,其中该外连接区超出该基板的周缘以及每一导线架的该内连接区及该外连接区之间具有至少一第二固定孔及至少一第二卡合缝;以射出成型方式于基板上形成有一封装模块,其中该封装模块包围该出光区并填满该第一固定孔,以及该封装模块位于该出光区及该穿孔之间,其中该封装模块相继地覆盖该凹槽、填满该导线架容置槽并包埋该导线架,其中该封装模块不包埋该内连接区的上表面与该外连接区的周围,其中该封装模块在出光区表面以上的部分定义成一上封装模块,并且该上封装模块包含一内侧壁,该内侧壁之上配置一反光面、一配置在该上封装模块的一顶部且位于该反光面之上的一透镜嵌合槽,以及一位于在该上封装模块的内侧壁之下的荧光墙;将多个发光二极管晶粒以阵列形式配置于该基板的一上表面之上;利用多个连接导线将所述发光二极管晶粒电性连接到该两导线架以形成一电路;所述发光二极管晶粒与所述连接导线之上形成一保护层;该保护层之上形成一荧光层,其中该荧光层藉由一荧光墙所界定的区域之中提供一磷化合物而形成;以及藉由射出成型方法而于该封装模块之上形成一透镜罩,其中该透镜罩的底部会将该透镜嵌合槽内部整个填满。
地址 中国台湾新竹县