处理半导体器件的方法、装置和系统

摘要

本发明涉及微电子和电力电子技术领域，尤其涉及处理半导体器件的方法、装置和系统，该方法包括：对场氧化后的衬底的有源区进行光刻；将第一杂质注入到光刻后的有源区，所述第一杂质的类型与所述衬底的杂质的类型相同；将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深，所述预定结深的位置对应在半导体器件的结型场效应晶体管JFET区中。使用本发明实施例提供的处理处理半导体器件的方法、装置和系统，通过向JFET区注入同质杂质，增加了JFET区的杂质浓度，减小了半导体器件的导通电阻，从而整体提高了半导体器件的性能。

主权项

一种处理半导体器件的方法，其特征在于，包括：对场氧化后的衬底的有源区进行光刻；将第一杂质注入到光刻后的有源区，所述第一杂质的类型与所述衬底的杂质的类型相同；将所述第一杂质驱入至所述衬底内的预定结深，所述预定结深的位置对应在半导体器件的结型场效应晶体管JFET区中。