发明名称 用于生成激光束辐射轨迹的方法
摘要 本发明涉及一种用于半导体封装制程中产生激光束辐射轨迹的方法,该方法可于半导体封装制造期间,在半导体封装的铸模部分中自动、准确、及容易产生激光束辐射轨迹。根据本发明,该方法用于一半导体封装制程装置产生激光束辐射轨迹,该装置沿着一螺旋轨道靠多个洞辐射一激光束在半导体封装的铸模部分之上,其包括下列步骤:启用一激光束辐射装置的控制器,其中多个螺旋轨迹图案是按类型储存,以选择这些螺旋轨迹图案类型其中之一;输入该选定螺旋轨迹图案的信息,以产生螺旋轨迹;及输入一激光束辐射条件。
申请公布号 CN102728957A 申请公布日期 2012.10.17
申请号 CN201210177966.3 申请日期 2010.02.05
申请人 韩美半导体株式会社 发明人 许一;崔弘赞;金渶桓
分类号 B23K26/38(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I 主分类号 B23K26/38(2006.01)I
代理机构 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人 余刚;吴孟秋
主权项 一种处理半导体封装的激光束辐射轨迹生成方法,使一半导体封装制造机沿着一螺旋轨迹辐射一激光束至所述半导体封装的一模具部分用以形成一通孔,所述方法包括以下步骤:(a)于一激光束辐射装置的一控制器内储存的多个螺旋轨迹图样类型中选择一图样类型;(b)通过输入与所选的螺旋轨迹图样相关的信息而生成一螺旋轨迹;及(c)输入与所述螺旋轨迹有关的激光束辐射条件。
地址 韩国仁川广域市
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