氮化硅膜制备装置

摘要

本发明公开了一种能够使各种制程气体混合均匀的氮化硅膜制备装置。该氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室，真空沉积室内设置有多个等离子反应器，真空沉积室上设置有进气口与抽气口，所述进气口上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口与出口，所述进口上连接有多个用于通入制程气体的进气管，所述出口与真空沉积室的进气口连通。先利用气体混合装置对各种制程气体进行混合，使其混合均匀后，再通入真空沉积室内进行反应，这样真空沉积室内各处的气体成分以及各成分的浓度都相同，可以使真空沉积室内不同地方的硅片表面沉积的氮化硅的成分以及膜厚都趋于一致，能够大大提高产品质量。适合在晶体硅太阳能生产设备领域推广应用。

主权项

氮化硅膜制备装置，包括真空沉积室（1），真空沉积室（1）内设置有多个等离子反应器（2），真空沉积室（1）上设置有进气口（3）与抽气口（4），其特征在于：所述进气口（3）上连接有气体混合装置，所述气体混合装置上设置有进口（65）与出口（66），所述进口（65）上连接有多个用于通入制程气体的进气管（5），所述出口（66）与真空沉积室（1）的进气口（3）连通。