用于高效功率转换器的单片集成电容器

摘要

提供了一种具有集成电容器的诸如功率转换器之类的半导体结构，其包括：半导体基板、半导体基板上方第一位置处的高侧输出功率器件、以及半导体基板上方与第一位置邻接的第二位置处的低侧输出功率器件。第一金属层位于高侧输出功率器件上方并且电耦接至高侧输出功率器件，第二金属层位于低侧输出功率器件上方并且电耦接至低侧输出功率器件。介电层位于第一金属层的一部分以及第二金属层的一部分上方，顶部金属层位于介电层上方。集成电容器包括：包括第一金属层的该部分的第一底部电极、包括第二金属层的该部分的第二底部电极、第一及第二金属层的所述部分上方的介电层、以及包括介电层上方的顶部金属层的顶部电极。

主权项

一种具有集成电容器的半导体结构，包括：半导体基板；所述半导体基板上方第一位置处的高侧输出功率器件；所述半导体基板上方与所述第一位置邻接的第二位置处的低侧输出功率器件；所述高侧输出功率器件上方的电耦接至所述高侧输出功率器件的第一金属层；所述低侧输出功率器件上方的电耦接至所述低侧输出功率器件的第二金属层；所述第一金属层的一部分以及所述第二金属层的一部分上方的介电层；以及所述介电层上方的顶部金属层；其中，所述集成电容器包括：包括所述第一金属层的所述部分的第一底部电极；包括所述第二金属层的所述部分的第二底部电极；所述第一金属层的所述部分以及所述第二金属层的所述部分上方的所述介电层；以及包括所述介电层上方的顶部金属层的顶部电极。