一种采用AlGaInN四元材料作为量子阱和量子垒的LED结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种采用AlGaInN四元材料作为量子阱和量子垒的LED结构及其制备方法。LED结构包括衬底层上依次是成核层、缓冲层、N型导电层、多量子阱层和P型导电层，在N型导电层上和P型导电层上分别是欧姆接触层；所述的多量子阱层是交替生长的厚度为2-20nm的AlxGa1-x-yInyN阱和厚度为10-30nm的AluGa1-u-vInvN垒，重复周期为2-20个。本发明利用AlGaInN四元材料的带隙和晶格常数具有很大的可调范围的特性，通过改变Al和In的组分来调节极化电荷密度大小，使AlGaInN阱产生的总极化电荷与AlGaInN垒的总极化电荷相匹配而消除内建电场，提高器件内量子效率。

主权项

一种采用AlGaInN四元材料作为量子阱和量子垒的LED结构，包括衬底层上依次是成核层、缓冲层、N型导电层、多量子阱层和P型导电层，在N型导电层上和P型导电层上分别是欧姆接触层；其特征在于，所述的多量子阱层是交替生长的厚度为2‑20nm的AlxGa1‑x‑yInyN阱和厚度为10‑30nm的AluGa1‑u‑vInvN垒，重复周期为2‑20个，其中，0＜x＜1，0＜y＜1；0＜u＜1，0＜v＜1。