在高深宽比纳米结构中减少图案塌陷的方法

摘要

提供了一种用于处理高深宽比纳米结构表面以有助于在与半导体器件的制造有关的一些精密的处理过程中保护精细的纳米结构的方法。对包含高深宽比纳米结构的晶片进行处置以使得纳米结构的表面变得更加疏水。该处置可包括，应用以化学方式改变纳米结构的表面的底料从而防止纳米结构的表面在随后的湿式清洁过程中损坏。该晶片可被进一步处理，例如在湿式清洁过程后进行干燥过程。纳米结构增长的疏水性有助于减少或防止纳米结构的塌陷。

主权项

一种处理在制造半导体器件过程中所使用的晶片的方法，所述方法包括：在该晶片上的硅基层中形成高深宽比特征；使得该特征的侧壁更加疏水；执行该晶片的湿式处理；以及随后干燥该晶片。