| 发明名称 | 半导体元件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括基底、栅极结构设于基底上以及第一遮盖层设于栅极结构的侧壁表面。其中栅极结构包括高介电常数介电层，且第一遮盖层为无氧(oxygen-free)遮盖层。 | ||
| 申请公布号 | CN102738225A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201110084219.0 | 申请日期 | 2011.04.06 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄韦翰 |
| 分类号 | H01L29/51(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/51(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 一种半导体元件，包括：基底；栅极结构设于该基底上，该栅极结构包括高介电常数介电层；以及第一遮盖层设于该栅极结构的侧壁表面，且该第一遮盖层为无氧遮盖层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||