| 发明名称 | 互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种互连结构及其形成方法，所述互连结构包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的介质层，所述介质层上形成有开口；覆盖所述开口的底部和侧壁的阻挡层；填充所述开口的填充金属，所述填充金属位于所述阻挡层上且其上表面与所述介质层的上表面齐平；所述阻挡层的材料包括碳、掺碳铜、掺碳硅铜、石墨、碳纳米管薄膜、钌其中一种或任意几种的组合。本发明有利于减小互连结构的电阻，避免或减弱电迁移现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102738117A | 申请公布日期 | 2012.10.17 |
| 申请号 | CN201110092126.2 | 申请日期 | 2011.04.13 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 钟汇才;梁擎擎;朱慧珑;赵超 |
| 分类号 | H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/532(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种互连结构，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的介质层，所述介质层上形成有开口；覆盖所述开口的底部和侧壁的阻挡层；填充所述开口的填充金属，所述填充金属位于所述阻挡层上且其上表面与所述介质层的上表面齐平；其特征在于，所述阻挡层的材料包括碳、掺碳铜、掺碳硅铜、石墨、碳纳米管薄膜、钌其中一种或任意几种的组合。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||